规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(638)
分立半导体产品
(638)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (161)
Diodes Incorporated (5)
Infineon Technologies (5)
IXYS (168)
Fairchild/ON Semiconductor (68)
Sanken (1)
STMicroelectronics (85)
Taiwan Semiconductor Corporation (35)
Vishay Siliconix (110)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 300V 36A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) 347W(Tc) TO-263AA
型号:
IXFA36N30P3
仓库库存编号:
IXFA36N30P3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ450P2
仓库库存编号:
IXTQ450P2-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
不受无铅要求限制
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 480W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA460P2
仓库库存编号:
IXTA460P2-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
不受无铅要求限制
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH450P2
仓库库存编号:
IXTH450P2-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
不受无铅要求限制
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 231W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FDI030N06
仓库库存编号:
FDI030N06-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 357W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP80N075L2
仓库库存编号:
IXTP80N075L2-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
不受无铅要求限制
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 750mA(Tc) 40W(Tc) TO-263
型号:
IXTA05N100HV
仓库库存编号:
IXTA05N100HV-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
不受无铅要求限制
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 400W(Tc) TO-268
型号:
IXTT75N10L2
仓库库存编号:
IXTT75N10L2-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 540W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ60N20L2
仓库库存编号:
IXTQ60N20L2-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
不受无铅要求限制
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 540W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH60N20L2
仓库库存编号:
IXTH60N20L2-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
不受无铅要求限制
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 600W(Tc) TO-268
型号:
IXTT110N10L2
仓库库存编号:
IXTT110N10L2-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 540W(Tc) TO-268
型号:
IXTT60N20L2
仓库库存编号:
IXTT60N20L2-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
不受无铅要求限制
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 890W(Tc) TO-268
型号:
IXTT12N150HV
仓库库存编号:
IXTT12N150HV-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
不受无铅要求限制
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 100V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 120W(Tc) DPAK
型号:
STD100N10F7
仓库库存编号:
497-13548-1-ND
别名:497-13548-1
497-13548-5
497-13548-5-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 107A(Tc) 136W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL110N10F7
仓库库存编号:
497-13877-1-ND
别名:497-13877-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.3A(Tc) 45W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD1N60
仓库库存编号:
785-1179-1-ND
别名:785-1179-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 53.7A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR872ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR872ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR872ADP-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7846DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7846DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7846DP-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 120W(Tc) DPAK
型号:
STD105N10F7AG
仓库库存编号:
497-15305-1-ND
别名:497-15305-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7450DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7450DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7450DP-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7450DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7450DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7450DP-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),130A(Tc) 2.7W(Ta),156W(Tc) Power56
型号:
FDMS86350
仓库库存编号:
FDMS86350CT-ND
别名:FDMS86350CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2PAK
型号:
STH315N10F7-2
仓库库存编号:
497-14718-1-ND
别名:497-14718
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.1A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC2612
仓库库存编号:
FDC2612CT-ND
别名:FDC2612CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.8A(Tc) 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4100DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4100DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4100DY-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA,
无铅
搜索
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号