以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3711PBF
  仓库库存编号：IRFU3711PBF-ND
  别名：*IRFU3711PBF
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 130W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3705ZSTRL
  仓库库存编号：IRL3705ZSCT-ND
  别名：IRL3705ZSCT
  IRL3705ZSCTL-ND
  IRL3705ZSLCT
  IRL3705ZSLCT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3704TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3704PBFCT-ND
  别名：*IRFR3704TRPBF
  IRFR3704PBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7807VD1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7807VD1PBFCT-ND
  别名：*IRF7807VD1TRPBF
  IRF7807VD1PBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7811ATRPBF
  仓库库存编号：IRF7811APBFCT-ND
  别名：*IRF7811ATRPBF
  IRF7811APBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3714TRPBF
  仓库库存编号：IRLR3714PBFCT-ND
  别名：*IRLR3714TRPBF
  IRLR3714PBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 61A（Tc） 87W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3707TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3707PBFCT-ND
  别名：*IRFR3707TRPBF
  IRFR3707PBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7460TRPBF
  仓库库存编号：IRF7460PBFCT-ND
  别名：*IRF7460TRPBF
  IRF7460PBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7805ATRPBF
  仓库库存编号：IRF7805APBFCT-ND
  别名：*IRF7805ATRPBF
  IRF7805APBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7471TRPBF
  仓库库存编号：IRF7471PBFCT-ND
  别名：*IRF7471TRPBF
  IRF7471PBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7466TRPBF
  仓库库存编号：IRF7466PBFCT-ND
  别名：*IRF7466TRPBF
  IRF7466PBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 44A（Tc） 62W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8503TRPBF
  仓库库存编号：IRLR8503PBFCT-ND
  别名：*IRLR8503TRPBF
  IRLR8503PBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3711PBF
  仓库库存编号：IRFR3711PBF-ND
  别名：SP001552178
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3711TRRPBF
  仓库库存编号：IRFR3711TRRPBF-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3715TRLPBF
  仓库库存编号：IRLR3715TRLPBF-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 91A（Tc） 115W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8103VTRRPBF
  仓库库存编号：IRLR8103VTRRPBF-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 0.55A SOT416
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 550mA（Ta） 530mW（Tc） SC-75
  
  型号：PMR780SN,115
  仓库库存编号：PMR780SN,115-ND
  别名：934057961115
  PMR780SN T/R
  PMR780SN T/R-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 87W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3704STRLPBF
  仓库库存编号：IRF3704STRLPBFCT-ND
  别名：IRF3704STRLPBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 110A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3711STRLPBF
  仓库库存编号：IRF3711STRLPBFCT-ND
  别名：IRF3711STRLPBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 180A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3716SPBF
  仓库库存编号：IRL3716SPBF-ND
  别名：SP001568304
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3714STRRPBF
  仓库库存编号：IRL3714STRRPBF-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3709STRRPBF
  仓库库存编号：IRF3709STRRPBF-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 62A（Tc） 87W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3707STRRPBF
  仓库库存编号：IRF3707STRRPBF-ND
  别名：SP001564624
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3715STRRPBF
  仓库库存编号：IRL3715STRRPBF-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 180A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3716STRRPBF
  仓库库存编号：IRL3716STRRPBF-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索