规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(1984)
分立半导体产品
(1984)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(96)
Central Semiconductor Corp(9)
Diodes Incorporated(286)
Fairchild/Micross Components(511)
Fairchild/ON Semiconductor(116)
Infineon Technologies(255)
Micro Commercial Co(13)
Nexperia USA Inc.(7)
NXP USA Inc.(1)
ON Semiconductor(78)
Panasonic Industrial Automation Sales(1)
STMicroelectronics(20)
Taiwan Semiconductor Corporation(63)
Trinamic Motion Control GmbH(4)
Vishay BC Components(93)
Vishay Beyschlag(198)
Vishay Electro-Films(72)
Vishay Huntington Electric Inc.(38)
Vishay Semiconductor Diodes Division(12)
Vishay Semiconductor Opto Division(10)
Vishay Sfernice(18)
Vishay Siliconix(50)
Vishay Spectrol(4)
Vishay Sprague(2)
Vishay Thin Film(2)
Vishay Vitramon(25)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 3.4A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF5803D2
仓库库存编号：
IRF5803D2-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 4.6A（Ta） 1.5W（Ta） 8-TSSOP
型号：
IRF7704
仓库库存编号：
IRF7704-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7805A
仓库库存编号：
IRF7805A-ND
别名：*IRF7805A
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 6A（Ta） 1.5W（Ta） 8-TSSOP
型号：
IRF7703
仓库库存编号：
IRF7703-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 120W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3709
仓库库存编号：
IRFU3709-ND
别名：*IRFU3709
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709S
仓库库存编号：
IRF3709S-ND
别名：*IRF3709S
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3711
仓库库存编号：
IRFU3711-ND
别名：*IRFU3711
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 110A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3711S
仓库库存编号：
IRF3711S-ND
别名：*IRF3711S
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3711
仓库库存编号：
IRFR3711-ND
别名：*IRFR3711
SP001555100
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-262
型号：
IRF3709L
仓库库存编号：
IRF3709L-ND
别名：*IRF3709L
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 110A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3711
仓库库存编号：
IRF3711-ND
别名：*IRF3711
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 110A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-262
型号：
IRF3711L
仓库库存编号：
IRF3711L-ND
别名：*IRF3711L
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3709
仓库库存编号：
IRF3709-ND
别名：*IRF3709
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 61A（Tc） 87W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3707
仓库库存编号：
IRFR3707-ND
别名：*IRFR3707
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 20V 75A（Tc） 90W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3704
仓库库存编号：
IRFU3704-ND
别名：*IRFU3704
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRL1404S
仓库库存编号：
IRL1404S-ND
别名：*IRL1404S
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3704
仓库库存编号：
IRFR3704-ND
别名：*IRFR3704
SP001571518
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 160A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
型号：
IRL1404L
仓库库存编号：
IRL1404L-ND
别名：*IRL1404L
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709STRL
仓库库存编号：
IRF3709STRL-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709STRR
仓库库存编号：
IRF3709STRR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 110A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3711STRL
仓库库存编号：
IRF3711STRL-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 110A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3711STRR
仓库库存编号：
IRF3711STRR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 3.4A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF5803D2TR
仓库库存编号：
IRF5803D2TR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 3.4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5803TR
仓库库存编号：
IRF5803TR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 2.5A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5804TR
仓库库存编号：
IRF5804TR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
搜索
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
