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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
型号：
TSM4435BCS RLG
仓库库存编号：
TSM4435BCS RLGTR-ND
别名：TSM4435BCS RLGTR
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
型号：
TSM4435BCS RLG
仓库库存编号：
TSM4435BCS RLGCT-ND
别名：TSM4435BCS RLGCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
型号：
TSM4435BCS RLG
仓库库存编号：
TSM4435BCS RLGDKR-ND
别名：TSM4435BCS RLGDKR
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.5A（Tc） 12.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM500N03CP ROG
仓库库存编号：
TSM500N03CP ROGTR-ND
别名：TSM500N03CP ROGTR
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.5A（Tc） 12.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM500N03CP ROG
仓库库存编号：
TSM500N03CP ROGCT-ND
别名：TSM500N03CP ROGCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.5A（Tc） 12.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM500N03CP ROG
仓库库存编号：
TSM500N03CP ROGDKR-ND
别名：TSM500N03CP ROGDKR
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A 1.2W 8-SO
型号：
FDS6298_G
仓库库存编号：
FDS6298_G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.4A, 4.5A 900mW Surface Mount 8-SO
型号：
FDS8958B_G
仓库库存编号：
FDS8958B_G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH SSOT6
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.3A 800mW SuperSOT?-6
型号：
FDC655BN_NBNN007
仓库库存编号：
FDC655BN_NBNN007-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 2A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7102
仓库库存编号：
IRF7102-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.5A（Tc） 1.6W（Ta），2.5W（Tc） 8-SO
型号：
IRF7202TR
仓库库存编号：
IRF7202CT-ND
别名：IRF7202
IRF7202CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 28V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7811A
仓库库存编号：
IRF7811A-ND
别名：*IRF7811A
SP001565580
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 28V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7811ATR
仓库库存编号：
IRF7811ATR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 116A（Tc） 3.8W（Ta），180W（Tc） D2PAK
型号：
94-2113
仓库库存编号：
94-2113-ND
别名：*IRL2203NS
IRL2203NS
IRL2203NS-ND
SP001517146
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 62A（Tc） 87W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3707S
仓库库存编号：
IRF3707S-ND
别名：*IRF3707S
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 44A（Tc） 62W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR8503
仓库库存编号：
IRLR8503-ND
别名：*IRLR8503
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7457
仓库库存编号：
IRF7457-ND
别名：*IRF7457
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7460
仓库库存编号：
IRF7460-ND
别名：*IRF7460
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7466
仓库库存编号：
IRF7466-ND
别名：*IRF7466
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 77A（Tc） 87W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3704
仓库库存编号：
IRF3704-ND
别名：*IRF3704
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 77A（Tc） 87W（Tc） TO-262
型号：
IRF3704L
仓库库存编号：
IRF3704L-ND
别名：*IRF3704L
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 62A（Tc） 87W（Tc） TO-262
型号：
IRF3707L
仓库库存编号：
IRF3707L-ND
别名：*IRF3707L
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 116A（Tc） 3.8W（Ta），180W（Tc） TO-262
型号：
IRL2203NL
仓库库存编号：
IRL2203NL-ND
别名：*IRL2203NL
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 87W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3704STRL
仓库库存编号：
IRF3704STRL-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 87W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3704STRR
仓库库存编号：
IRF3704STRR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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