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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 11A DFN5
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),55A(Tc) 3.8W(Ta),94W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B14NLT1G
仓库库存编号:
NVMFS6B14NLT1GOSCT-ND
别名:NVMFS6B14NLT1GOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PT8 P Z -30V/-25V ZENER POWERTRE
详细描述:表面贴装 P 沟道 54A(Tc) 30W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC013P030Z
仓库库存编号:
FDMC013P030Z-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7384DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7384DP-T1-E3TR-ND
别名:SI7384DP-T1-E3TR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET NCH 25V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),40A(Tc) 3.7W(Ta),42W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD6796A
仓库库存编号:
FDD6796ACT-ND
别名:FDD6796ACT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7636DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7636DP-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 37.1A(Tc) 8.3W(Ta),136W(Tc) TO-252
型号:
SUD50P10-43L-GE3
仓库库存编号:
SUD50P10-43L-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 10.5A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4413ADY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4413ADY-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7390DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7390DP-T1-E3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7390DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7390DP-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(S)
型号:
SIE822DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE822DF-T1-E3TR-ND
别名:SIE822DF-T1-E3TR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 2.3W(Ta), 104W(Tc) TO-220AB
型号:
DMT6005LCT
仓库库存编号:
DMT6005LCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50P06-15L-T4-E3
仓库库存编号:
SUD50P06-15L-T4-E3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD40N10-25-T4-E3
仓库库存编号:
SUD40N10-25-T4-E3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(S)
型号:
SIE832DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE832DF-T1-E3CT-ND
别名:SIE832DF-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PT8 40V/20V NCH POWERTRENCH MOSF
详细描述:表面贴装 N 沟道 49A(Ta),300A(Tc) 3.33W(Ta), 125W(Tc) Power56
型号:
FDMS8350LET40
仓库库存编号:
FDMS8350LET40-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE812DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE812DF-T1-E3TR-ND
别名:SIE812DF-T1-E3TR
SIE812DFT1E3
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE812DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE812DF-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 254W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB8860
仓库库存编号:
FDB8860CT-ND
别名:FDB8860CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SQD40N06-25L-GE3
仓库库存编号:
SQD40N06-25L-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 150A(Tc) 165W(Tc) TO-220AB
型号:
DMNH4005SCTQ
仓库库存编号:
DMNH4005SCTQ-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8W(Ta), 165W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B05NLT3G
仓库库存编号:
NVMFS6B05NLT3G-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 75V 21.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 21.5A(Ta),140A(Tc) 2.1W(Ta),500W(Tc) TO-220
型号:
AOT270L
仓库库存编号:
785-1439-5-ND
别名:785-1439-5
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8W(Ta), 165W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B05NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS6B05NLWFT3G-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 150A(Tc) 165W(Tc) TO-220AB
型号:
DMNH4005SCT
仓库库存编号:
DMNH4005SCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE818DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE818DF-T1-GE3CT-ND
别名:SIE818DF-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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