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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 6-MLP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 1W Surface Mount 12-Power3.3x5
型号：
FDMD8260L
仓库库存编号：
FDMD8260LCT-ND
别名：FDMD8260LCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUFA76645S3ST_F085
仓库库存编号：
HUFA76645S3ST_F085CT-ND
别名：HUFA76645S3ST_F085CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
型号：
SIE832DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE832DF-T1-GE3CT-ND
别名：SIE832DF-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 200V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
STB30NF20L
仓库库存编号：
497-13392-1-ND
别名：497-13392-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 8MLP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 1W Surface Mount Powerclip-33
型号：
FDPC4044
仓库库存编号：
FDPC4044CT-ND
别名：FDPC4044CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 22A, 93A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6
型号：
FDMD8560L
仓库库存编号：
FDMD8560LCT-ND
别名：FDMD8560LCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 15A
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 1.1W Surface Mount 12-Power3.3x5
型号：
FDMD8260LET60
仓库库存编号：
FDMD8260LET60CT-ND
别名：FDMD8260LET60CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 110A
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 333W（Tj） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB9403L_F085
仓库库存编号：
FDB9403L_F085CT-ND
别名：FDB9403L_F085CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 47A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Ta），200A（Tc） 2.7W（Ta），113W（Tc） Power56
型号：
FDMS8350L
仓库库存编号：
FDMS8350LCT-ND
别名：FDMS8350LCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SI7994DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7994DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7994DP-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
FDB024N04AL7
仓库库存编号：
FDB024N04AL7CT-ND
别名：FDB024N04AL7CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7880ADP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7880ADP-T1-E3CT-ND
别名：SI7880ADP-T1-E3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 3.75W（Ta），120W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM60N02-3M9P-E3
仓库库存编号：
SUM60N02-3M9P-E3CT-ND
别名：SUM60N02-3M9P-E3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 40V 33A POWER
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 40V 33A, 156A 2.3W Surface Mount 8-Power 5x6
型号：
FDMD8540L
仓库库存编号：
FDMD8540LCT-ND
别名：FDMD8540LCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 283W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
FDB016N04AL7
仓库库存编号：
FDB016N04AL7CT-ND
别名：FDB016N04AL7CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 90A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 13.6W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM90P10-19L-E3
仓库库存编号：
SUM90P10-19L-E3CT-ND
别名：SUM90P10-19L-E3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 110A（Tc） 13.6W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM110P08-11L-E3
仓库库存编号：
SUM110P08-11L-E3CT-ND
别名：SUM110P08-11L-E3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） 3.75W（Ta），250W（Tc）
型号：
SUP85N10-10-GE3
仓库库存编号：
SUP85N10-10-GE3CT-ND
别名：SUP85N10-10-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Nexperia USA Inc.
PMV35EPE/TO-236AB/REEL 7" Q3/T
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.3A（Ta） 480mW（Ta）, 1.2W（Tc） TO-236AB
型号：
PMV35EPER
仓库库存编号：
1727-2729-1-ND
别名：1727-2729-1
568-13293-1
568-13293-1-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PMV50EPEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.2A（Ta） 310mW（Ta）, 455mW（Tc） TO-236AB
型号：
PMV50EPEAR
仓库库存编号：
1727-2727-1-ND
别名：1727-2727-1
568-13291-1
568-13291-1-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7104TRPBF
仓库库存编号：
IRF7104PBFCT-ND
别名：*IRF7104TRPBF
IRF7104PBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7811AVTRPBF
仓库库存编号：
IRF7811AVPBFCT-ND
别名：*IRF7811AVTRPBF
IRF7811AVPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7413TRPBF
仓库库存编号：
IRF7413PBFCT-ND
别名：*IRF7413TRPBF
IRF7413PBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR2905ZTRPBF
仓库库存编号：
IRLR2905ZTRPBFCT-ND
别名：IRLR2905ZTRPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 51A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ44ZSTRLPBF
仓库库存编号：
IRLZ44ZSTRLPBFCT-ND
别名：IRLZ44ZSTRLPBFCT
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