规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(1984)
分立半导体产品
(1984)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(96)
Central Semiconductor Corp(9)
Diodes Incorporated(286)
Fairchild/Micross Components(511)
Fairchild/ON Semiconductor(116)
Infineon Technologies(255)
Micro Commercial Co(13)
Nexperia USA Inc.(7)
NXP USA Inc.(1)
ON Semiconductor(78)
Panasonic Industrial Automation Sales(1)
STMicroelectronics(20)
Taiwan Semiconductor Corporation(63)
Trinamic Motion Control GmbH(4)
Vishay BC Components(93)
Vishay Beyschlag(198)
Vishay Electro-Films(72)
Vishay Huntington Electric Inc.(38)
Vishay Semiconductor Diodes Division(12)
Vishay Semiconductor Opto Division(10)
Vishay Sfernice(18)
Vishay Siliconix(50)
Vishay Spectrol(4)
Vishay Sprague(2)
Vishay Thin Film(2)
Vishay Vitramon(25)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Central Semiconductor Corp
MOSFET P-CH 40V 6A SOT-89
详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 1.2W（Ta） SOT-89
型号：
CXDM4060P TR
仓库库存编号：
CXDM4060P CT-ND
别名：CXDM4060P CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.9A, 2.1A 1.7W Surface Mount 8-DFN (3x2)
型号：
ZXMC3AMCTA
仓库库存编号：
ZXMC3AMCTACT-ND
别名：ZXMC3AMCTACT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET2X2
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
型号：
FDMA7632
仓库库存编号：
FDMA7632CT-ND
别名：FDMA7632CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 1.39A, 1.28A 870mW Surface Mount 8-SOP
型号：
ZXMHC6A07N8TC
仓库库存编号：
ZXMHC6A07N8DICT-ND
别名：ZXMHC6A07N8DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7309DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7309DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7309DN-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 2.17A, 1.64A 870mW Surface Mount 8-SOP
型号：
ZXMHC3A01N8TC
仓库库存编号：
ZXMHC3A01N8DICT-ND
别名：ZXMHC3A01N8DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7309DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7309DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7309DN-T1-E3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 30V 65A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Tc） 50W（Tc） DPAK
型号：
STD65N3LLH5
仓库库存编号：
497-13425-1-ND
别名：497-13425-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Tc） 2W（Ta），3.5W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3438DV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3438DV-T1-GE3CT-ND
别名：SI3438DV-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 5.3A, 3.9A 3.1W, 3.4W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4559ADY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4559ADY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4559ADY-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 5.3A, 3.9A 3.1W, 3.4W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4559ADY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4559ADY-T1-E3CT-ND
别名：SI4559ADY-T1-E3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7308DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7308DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7308DN-T1-E3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) 2.8W Surface Mount PowerDI5060-8
型号：
DMTH6010LPD-13
仓库库存编号：
DMTH6010LPD-13DICT-ND
别名：DMTH6010LPD-13DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12
详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 2.9A, 2.3A 2.1W Surface Mount V-DFN5045-12
型号：
DMHC10H170SFJ-13
仓库库存编号：
DMHC10H170SFJ-13DICT-ND
别名：DMHC10H170SFJ-13DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 14.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS6673BZ
仓库库存编号：
FDS6673BZCT-ND
别名：FDS6673BZCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 16.5A（Tc） 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 8-SO
型号：
SI4884BDY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4884BDY-T1-E3CT-ND
别名：SI4884BDY-T1-E3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 16.4A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），65W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD8453LZ
仓库库存编号：
FDD8453LZCT-ND
别名：FDD8453LZCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），50W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR468DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR468DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR468DP-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS468DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS468DN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS468DN-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 9A POWER56
详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta），18A（Tc） 2.5W（Ta），39W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS4435BZ
仓库库存编号：
FDMS4435BZCT-ND
别名：FDMS4435BZCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.5A 900mW Surface Mount 8-SO
型号：
NDS9945
仓库库存编号：
NDS9945CT-ND
别名：NDS9945CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），42A（Tc） 3.1W（Ta），43W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD8647L
仓库库存编号：
FDD8647LCT-ND
别名：FDD8647LCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 3W（Ta），100W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD23N06-31L-E3
仓库库存编号：
SUD23N06-31L-E3CT-ND
别名：SUD23N06-31L-E3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 90W（Tc） TO-252AA
型号：
RFD16N06LESM9A
仓库库存编号：
RFD16N06LESM9ACT-ND
别名：RFD16N06LESM9ACT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.7A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7114DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7114DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7114DN-T1-E3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
搜索
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
