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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.2A 640mW Surface Mount ChipFET?
型号:
NTHD4502NT1G
仓库库存编号:
NTHD4502NT1GOSCT-ND
别名:NTHD4502NT1GOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 11.4A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4435DDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4435DDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4435DDY-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS6930B
仓库库存编号:
FDS6930BCT-ND
别名:FDS6930BCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.4A, 4.5A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS8958B
仓库库存编号:
FDS8958BCT-ND
别名:FDS8958BCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 24A(Tc) 3.5W(Ta),27.8W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7619DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7619DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7619DN-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Ta) 1.2W(Ta) 8-SO
型号:
DMP6023LSS-13
仓库库存编号:
DMP6023LSS-13DICT-ND
别名:DMP6023LSS-13DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8-SO
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 4.8A 1.2W Surface Mount 8-SO
型号:
DMP6050SSD-13
仓库库存编号:
DMP6050SSD-13DICT-ND
别名:DMP6050SSD-13DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP
型号:
SI3993DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3993DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3993DV-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.4A(Tc) 1.7W(Ta),20.8W(Tc) TO-252
型号:
SUD08P06-155L-GE3
仓库库存编号:
SUD08P06-155L-GE3CT-ND
别名:SUD08P06-155L-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6670A
仓库库存编号:
FDS6670ACT-ND
别名:FDS6670ACT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3458BDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3458BDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3458BDV-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.9A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS9953A
仓库库存编号:
FDS9953ACT-ND
别名:FDS9953ACT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 6-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA8051L
仓库库存编号:
FDMA8051LCT-ND
别名:FDMA8051LCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 40V 4.5A, 3.7A 1.5W Surface Mount 8-SO
型号:
DMHC4035LSD-13
仓库库存编号:
DMHC4035LSD-13DICT-ND
别名:DMHC4035LSD-13DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta),35A(Tc) 3.1W(Ta),54W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD86102LZ
仓库库存编号:
FDD86102LZFSCT-ND
别名:FDD86102LZFSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6294
仓库库存编号:
FDS6294CT-ND
别名:FDS6294CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-SO
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.9A, 3.5A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
SI4532DY
仓库库存编号:
SI4532DYCT-ND
别名:SI4532DYCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 13A(Tc) 2.5W(Ta),5.6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4835DDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4835DDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4835DDY-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8817NZ
仓库库存编号:
FDS8817NZCT-ND
别名:FDS8817NZCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3105TRPBF
仓库库存编号:
IRLR3105TRPBFCT-ND
别名:IRLR3105TRPBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 14.9A(Tc) 6.9W(Tc) 8-SO
型号:
PMK35EP,518
仓库库存编号:
1727-7204-1-ND
别名:1727-7204-1
568-9695-1
568-9695-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 49W(Tc) TO-252AA
型号:
HUF76609D3ST
仓库库存编号:
HUF76609D3STFSCT-ND
别名:HUF76609D3STFSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 6-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA86551L
仓库库存编号:
FDMA86551LCT-ND
别名:FDMA86551LCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),10A(Tc) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA8878
仓库库存编号:
FDMA8878CT-ND
别名:FDMA8878CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8449
仓库库存编号:
FDS8449CT-ND
别名:FDS8449CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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