规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 500μA,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(22)
分立半导体产品
(22)
筛选品牌
Infineon Technologies (4)
IXYS (7)
Microsemi Corporation (11)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 150V 180A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 800W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK180N15P
仓库库存编号:
IXTK180N15P-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 500μA,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 120A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 700W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK120N25P
仓库库存编号:
IXTK120N25P-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 500μA,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 290W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT7F100B
仓库库存编号:
APT7F100B-ND
别名:APT7F100BMI
APT7F100BMI-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 500μA,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 15A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 290W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT15F60B
仓库库存编号:
APT15F60B-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 500μA,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 102A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 300V 102A(Tc) 700W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK102N30P
仓库库存编号:
IXTK102N30P-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 500μA,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 140A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 200V 140A(Tc) 800W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK140N20P
仓库库存编号:
IXTK140N20P-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 500μA,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 100V 200A(Tc) 800W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK200N10P
仓库库存编号:
IXTK200N10P-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 500μA,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 300W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR200N10P
仓库库存编号:
IXTR200N10P-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 500μA,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 140A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 300V 140A(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK140N30P
仓库库存编号:
IXTK140N30P-ND
别名:Q4597844
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 500μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW11N60CFDFKSA1
仓库库存编号:
SPW11N60CFDFKSA1-ND
别名:SP000014534
SPW11N60CFD
SPW11N60CFD-ND
SPW11N60CFDIN
SPW11N60CFDIN-ND
SPW11N60CFDX
SPW11N60CFDXK
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 500μA,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 225W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT12F60K
仓库库存编号:
APT12F60K-ND
别名:APT12F60KMI
APT12F60KMI-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 500μA,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 15A(Tc) 223W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT15F50K
仓库库存编号:
APT15F50K-ND
别名:APT15F50KMI
APT15F50KMI-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 500μA,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 290W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT20F50B
仓库库存编号:
APT20F50B-ND
别名:APT20F50BMI
APT20F50BMI-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 500μA,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 4A(Tc) 225W(Tc) TO-220
型号:
APT4F120K
仓库库存编号:
APT4F120K-ND
别名:APT4F120KMI
APT4F120KMI-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 500μA,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 5A(Tc) 225W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT5F100K
仓库库存编号:
APT5F100K-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 500μA,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7A(Tc) 225W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT7F80K
仓库库存编号:
APT7F80K-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 500μA,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 8A(Tc) 225W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT8M80K
仓库库存编号:
APT8M80K-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 500μA,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 16A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 16A(Tc) 290W(Tc) D3Pak
型号:
APT15F60S
仓库库存编号:
APT15F60S-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 500μA,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 20A(Tc) 290W(Tc) D3Pak
型号:
APT20F50S
仓库库存编号:
APT20F50S-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 500μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP11N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPP11N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000681042
SPP11N60CFD
SPP11N60CFD-ND
SPP11N60CFDIN
SPP11N60CFDIN-ND
SPP11N60CFDX
SPP11N60CFDXK
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 500μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI11N60CFDHKSA1
仓库库存编号:
SPI11N60CFDHKSA1-ND
别名:SP000229994
SP000680990
SPI11N60CFD
SPI11N60CFD-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 500μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP11N60CFDHKSA1
仓库库存编号:
SPP11N60CFDHKSA1-ND
别名:SP000014533
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 500μA,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号