以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7807D1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7807D1PBFCT-ND
  别名：*IRF7807D1TRPBF
  IRF7807D1PBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7353D2TRPBF
  仓库库存编号：IRF7353D2PBFCT-ND
  别名：*IRF7353D2TRPBF
  IRF7353D2PBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3303TRPBF
  仓库库存编号：IRLR3303PBFCT-ND
  别名：*IRLR3303TRPBF
  IRLR3303PBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.2A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7901D1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7901D1PBFCT-ND
  别名：*IRF7901D1TRPBF
  IRF7901D1PBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7822TRPBF
  仓库库存编号：IRF7822PBFCT-ND
  别名：*IRF7822TRPBF
  IRF7822PBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9410PBF
  仓库库存编号：IRF9410PBF-ND
  别名：SP001575396
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF9956PBF
  仓库库存编号：IRF9956PBF-ND
  别名：SP001565670
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V SOT96-1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4420DY,518
  仓库库存编号：SI4420DY,518-ND
  别名：934056381518
  SI4420DY /T3
  SI4420DY /T3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V SOT96-1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI9410DY,518
  仓库库存编号：SI9410DY,518-ND
  别名：934056383518
  SI9410DY /T3
  SI9410DY /T3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI9936DY,518
  仓库库存编号：SI9936DY,518-ND
  别名：934056385518
  SI9936DY /T3
  SI9936DY /T3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.6A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7603TRPBF
  仓库库存编号：IRF7603TRPBFCT-ND
  别名：IRF7603TRPBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 26A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR4343-701PBF
  仓库库存编号：IRLR4343-701PBF-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 20A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR9343-701PBF
  仓库库存编号：IRLR9343-701PBF-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 28V 14.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28V 14.5A（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7809PBF
  仓库库存编号：IRF7809PBF-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 24A（Tc） 75W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL5602STRRPBF
  仓库库存编号：IRL5602STRRPBF-ND
  别名：SP001576450
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3303STRRPBF
  仓库库存编号：IRL3303STRRPBF-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 94W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3103STRRPBF
  仓库库存编号：IRL3103STRRPBF-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 26A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR4343TRRPBF
  仓库库存编号：IRLR4343TRRPBF-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 65A（Tc） 75W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7821CTRRPBF
  仓库库存编号：IRLR7821CTRRPBF-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7303QTRPBF
  仓库库存编号：IRF7303QTRPBFCT-ND
  别名：IRF7303QTRPBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7306QTRPBF
  仓库库存编号：IRF7306QTRPBFCT-ND
  别名：IRF7306QTRPBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3A 1.4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7309QTRPBF
  仓库库存编号：IRF7309QTRPBFCT-ND
  别名：IRF7309QTRPBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.5A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7313QTRPBF
  仓库库存编号：IRF7313QTRPBFCT-ND
  别名：IRF7313QTRPBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7316QTRPBF
  仓库库存编号：IRF7316QTRPBFCT-ND
  别名：IRF7316QTRPBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 5.1A 2.4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7341QTRPBF
  仓库库存编号：IRF7341QTRPBFCT-ND
  别名：IRF7341QTRPBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索