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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 104A(Tc) 2.4W(Ta),167W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1104STRR
仓库库存编号:
IRL1104STRR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24A(Tc) 45W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2703STRL
仓库库存编号:
IRL2703STRL-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24A(Tc) 45W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2703STRR
仓库库存编号:
IRL2703STRR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 3.1W(Ta),89W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103D1STRL
仓库库存编号:
IRL3103D1STRL-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 54A(Tc) 2W(Ta),70W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3103D2
仓库库存编号:
IRL3103D2-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103STRR
仓库库存编号:
IRL3103STRR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 38A(Tc) 68W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3303D1
仓库库存编号:
IRL3303D1-ND
别名:*IRL3303D1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 38A(Tc) 68W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3303D1S
仓库库存编号:
IRL3303D1S-ND
别名:*IRL3303D1S
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 38A(Tc) 68W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3303D1STRL
仓库库存编号:
IRL3303D1STRL-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 38A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3303STRL
仓库库存编号:
IRL3303STRL-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 38A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3303STRR
仓库库存编号:
IRL3303STRR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 140A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3803STRR
仓库库存编号:
IRL3803STRR-ND
别名:SP001550338
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 20V 24A(Tc) TO-262
型号:
IRL5602L
仓库库存编号:
IRL5602L-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 20V 24A(Tc) TO-220AB
型号:
IRL5602
仓库库存编号:
IRL5602-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 24A(Tc) 75W(Tc) D2PAK
型号:
IRL5602STRL
仓库库存编号:
IRL5602STRL-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 24A(Tc) 75W(Tc) D2PAK
型号:
IRL5602STRR
仓库库存编号:
IRL5602STRR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 10A(Tc) 28W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR014NTRL
仓库库存编号:
IRLR014NTRL-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 10A(Tc) 28W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR014NTR
仓库库存编号:
IRLR014NTR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 10A(Tc) 28W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR014NTRR
仓库库存编号:
IRLR014NTRR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 23A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2703TRL
仓库库存编号:
IRLR2703TRL-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 23A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2703TRR
仓库库存编号:
IRLR2703TRR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 55A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3103TRL
仓库库存编号:
IRLR3103TRL-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 55A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
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IRLR3103TRR
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含铅
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MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3303TRL
仓库库存编号:
IRLR3303TRL-ND
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含铅
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MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3303TRR
仓库库存编号:
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