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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 104A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 104A（Tc） 167W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL1104
仓库库存编号：
IRL1104-ND
别名：*IRL1104
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 130A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
型号：
IRL1004L
仓库库存编号：
IRL1004L-ND
别名：*IRL1004L
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 104A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 104A（Tc） 2.4W（Ta），167W（Tc） TO-262
型号：
IRL1104L
仓库库存编号：
IRL1104L-ND
别名：*IRL1104L
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 38A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） TO-262
型号：
IRL3303L
仓库库存编号：
IRL3303L-ND
别名：*IRL3303L
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 140A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
型号：
94-4764
仓库库存编号：
94-4764-ND
别名：*IRL3803L
IRL3803L
IRL3803L-ND
SP001519020
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
型号：
IRF7526D1
仓库库存编号：
IRF7526D1-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7353D2
仓库库存编号：
IRF7353D2-ND
别名：*IRF7353D2
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7379TR
仓库库存编号：
IRF7379TR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7389TR
仓库库存编号：
IRF7389TR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7413ATR
仓库库存编号：
IRF7413ATR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.8A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7421D1TR
仓库库存编号：
IRF7421D1TR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7807D1TR
仓库库存编号：
IRF7807D1TR-ND
别名：SP001577472
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Tc） 8-SO
型号：
IRF7807D2TR
仓库库存编号：
IRF7807D2TR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7809ATR
仓库库存编号：
IRF7809ATR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17.6A（Ta） 3.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7809TR
仓库库存编号：
IRF7809TR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 28V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 28V 14A（Ta） 3.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7811TR
仓库库存编号：
IRF7811TR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.2A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7901D1
仓库库存编号：
IRF7901D1-ND
别名：*IRF7901D1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.2A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7901D1TR
仓库库存编号：
IRF7901D1TR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF9410TR
仓库库存编号：
IRF9410TR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF9952TR
仓库库存编号：
IRF9952TR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF9953TR
仓库库存编号：
IRF9953TR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF9956TR
仓库库存编号：
IRF9956TR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 130A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRL1004STRL
仓库库存编号：
IRL1004STRL-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 130A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRL1004STRR
仓库库存编号：
IRL1004STRR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 104A（Tc） 2.4W（Ta），167W（Tc） D2PAK
型号：
IRL1104STRL
仓库库存编号：
IRL1104STRL-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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