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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 9A（Tc） 3.3W（Ta），15W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA443DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA443DJ-T1-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.5A（Tc） 1.9W（Ta），6.5W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 双
型号：
SIA811DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA811DJ-T1-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 9A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
型号：
SIB412DK-T1-GE3
仓库库存编号：
SIB412DK-T1-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 236mW（Ta） SC-89-6
型号：
SI1051X-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1051X-T1-GE3CT-ND
别名：SI1051X-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 236mW（Ta） SC-89-6
型号：
SI1054X-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1054X-T1-GE3CT-ND
别名：SI1054X-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA417DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA417DJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA417DJ-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号：
SIA511DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA511DJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA511DJ-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号：
SIA911EDJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA911EDJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA911EDJ-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号：
SIA912DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA912DJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA912DJ-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号：
SIA913DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA913DJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA913DJ-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 8V 9A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
型号：
SIB414DK-T1-GE3
仓库库存编号：
SIB414DK-T1-GE3CT-ND
别名：SIB414DK-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 9A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
型号：
SIB417DK-T1-GE3
仓库库存编号：
SIB417DK-T1-GE3CT-ND
别名：SIB417DK-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 9A（Tc） 2.45W（Ta），13.1W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
型号：
SIB419DK-T1-GE3
仓库库存编号：
SIB419DK-T1-GE3CT-ND
别名：SIB419DK-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 1.5A SC75-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.5A（Tc） 1.1W（Ta），3.1W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
型号：
SIB800EDK-T1-GE3
仓库库存编号：
SIB800EDK-T1-GE3CT-ND
别名：SIB800EDK-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 50A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
型号：
SI4448DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4448DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4448DY-T1-E3CT
SI4448DY-T1-GE3CT
SI4448DY-T1-GE3CT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 4A 8-TSSOP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号：
SI6928DQ-T1-GE3
仓库库存编号：
SI6928DQ-T1-GE3CT-ND
别名：SI6928DQ-T1-GE3CT
SI6928DQT1GE3
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA411DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA411DJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA411DJ-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号：
SIA914DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA914DJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA914DJ-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.6A 3.1W Surface Mount PowerPAK? SC-75-6L Dual
型号：
SIB911DK-T1-GE3
仓库库存编号：
SIB911DK-T1-GE3CT-ND
别名：SIB911DK-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 2.2A（Tc） 1W（Ta） 4-DSBGA（1x1）
型号：
CSD23201W10
仓库库存编号：
296-24258-1-ND
别名：296-24258-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Tc） 1.5W（Ta） 6-DSBGA（1x1.5）
型号：
CSD25301W1015
仓库库存编号：
296-24259-1-ND
别名：296-24259-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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Texas Instruments
MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.2A 800mW Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
型号：
CSD75301W1015
仓库库存编号：
296-24261-1-ND
别名：296-24261-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
型号：
NTLJD3181PZTAG
仓库库存编号：
NTLJD3181PZTAG-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
型号：
NTLJD3181PZTBG
仓库库存编号：
NTLJD3181PZTBG-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 710mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJD3182FZTAG
仓库库存编号：
NTLJD3182FZTAG-ND
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