品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N06S2L-05
仓库库存编号:
SPB100N06S2L-05-ND
别名:SP000013714
SPB100N06S2L05T
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N08S2L-07
仓库库存编号:
SPB100N08S2L-07-ND
别名:SP000013716
SPB100N08S2L07T
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
SPB160N04S2L03DTMA1
仓库库存编号:
SPB160N04S2L03DTMA1TR-ND
别名:SP000014639
SPB160N04S2L-03
SPB160N04S2L-03-ND
SPB160N04S2L03T
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-03
仓库库存编号:
SPB80N03S2L-03-ND
别名:SP000016252
SPB80N03S2L03T
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-03 G
仓库库存编号:
SPB80N03S2L-03 G-ND
别名:SP000200142
SPB80N03S2L03GXT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N04S2L-03
仓库库存编号:
SPB80N04S2L-03-ND
别名:SP000016354
SPB80N04S2L03T
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-05
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-05-ND
别名:SP000016352
SPB80N06S2L05T
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N08S2L-07
仓库库存编号:
SPB80N08S2L-07-ND
别名:SP000016359
SPB80N08S2L07T
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N03S2L-03
仓库库存编号:
SPI80N03S2L-03-ND
别名:SP000016261
SPI80N03S2L03X
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N06S2L-05
仓库库存编号:
SPI80N06S2L-05-ND
别名:SP000016360
SPI80N06S2L05
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N04S2L-03
仓库库存编号:
SPP100N04S2L-03-ND
别名:SP000013719
SPP100N04S2L03
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N06S2L-05
仓库库存编号:
SPP100N06S2L-05-ND
别名:SP000013721
SPP100N06S2L05
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N08S2L-07
仓库库存编号:
SPP100N08S2L-07-ND
别名:SP000013723
SPP100N08S2L07
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N03S2L-03
仓库库存编号:
SPP80N03S2L-03-ND
别名:SP000012469
SPP80N03S2L03X
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N04S2L-03
仓库库存编号:
SPP80N04S2L-03-ND
别名:SP000012472
SPP80N04S2L03
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2L-05
仓库库存编号:
SPP80N06S2L-05-ND
别名:SP000012474
SPP80N06S2L05
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N08S2L-07
仓库库存编号:
SPP80N08S2L-07-ND
别名:SP000012476
SPP80N08S2L07
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 36A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRL540NSTRL
仓库库存编号:
IRL540NSTRLCT-ND
别名:IRL540NSTRLCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3706CPBF
仓库库存编号:
IRFR3706CPBF-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 17A(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3410CPBF
仓库库存编号:
IRLR3410CPBF-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3706-701PBF
仓库库存编号:
IRFU3706-701PBF-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3706STRRPBF
仓库库存编号:
IRF3706STRRPBF-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3708STRRPBF
仓库库存编号:
IRF3708STRRPBF-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3706CTRRPBF
仓库库存编号:
IRFR3706CTRRPBF-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3706CTRLPBF
仓库库存编号:
IRFR3706CTRLPBF-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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