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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N04-1M9_GE3
仓库库存编号:
SQM120N04-1M9_GE3-ND
别名:SQM120N04-1M9-GE3
SQM120N04-1M9-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 230W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N06-06_GE3
仓库库存编号:
SQM120N06-06_GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 175W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP120N06-06_GE3
仓库库存编号:
SQP120N06-06_GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP120N10-09_GE3
仓库库存编号:
SQP120N10-09_GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) TO-262-3
型号:
SQV120N10-3M8_GE3
仓库库存编号:
SQV120N10-3M8_GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N04-1M7_GE3
仓库库存编号:
SQM120N04-1M7_GE3-ND
别名:SQM120N04-1M7-GE3
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N10-09_GE3
仓库库存编号:
SQM120N10-09_GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 18.5A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 18.5A(Ta),105A(Tc) 2.1W(Ta),272.5W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB282L
仓库库存编号:
AOB282L-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 150V 152A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 11.5A(Ta),152A(Tc) 2.1W(Ta),375W(Tc) TO-262
型号:
AOW2500
仓库库存编号:
AOW2500-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 85A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 85A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM85N15-19_GE3
仓库库存编号:
SQM85N15-19_GE3-ND
别名:SQM85N15-19-GE3
SQM85N15-19-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM60N20-35_GE3
仓库库存编号:
SQM60N20-35_GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM35N30-97_GE3
仓库库存编号:
SQM35N30-97_GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP120N10-3M8_GE3
仓库库存编号:
SQP120N10-3M8_GE3-ND
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 61V 100V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 140A(Tc) 187W(Tc) TO-220AB
型号:
DMTH10H005LCT
仓库库存编号:
DMTH10H005LCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ456EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ456EP-T1_GE3-ND
别名:SQJ456EP-T1-GE3
SQJ456EP-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 20.6A(Tc) 208W(Tc) TO-220
型号:
FCP190N60E
仓库库存编号:
FCP190N60E-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO247
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 357W(Tc) TO-247
型号:
FCH099N60E
仓库库存编号:
FCH099N60E-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 420A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 40V 420A(Tc) 935W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH420N04T2
仓库库存编号:
IXTH420N04T2-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 500A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 40V 500A(Tc) 1000W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH500N04T2
仓库库存编号:
IXTH500N04T2-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 500A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 500A(Tc) 1000W(Tc) TO-268
型号:
IXTT500N04T2
仓库库存编号:
IXTT500N04T2-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 10A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH10N100D
仓库库存编号:
IXTH10N100D-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 10A(Tc) 400W(Tc) TO-268
型号:
IXTT10N100D
仓库库存编号:
IXTT10N100D-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 40V 600A(Tc) 1250W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX600N04T2
仓库库存编号:
IXTX600N04T2-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 600A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 40V 600A(Tc) 1250W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK600N04T2
仓库库存编号:
IXTK600N04T2-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 600A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 600A(Tc) 830W(Tc) SMPD
型号:
MMIX1T600N04T2
仓库库存编号:
MMIX1T600N04T2-ND
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