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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 60V SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJB00EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJB00EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJB00EP-T1_GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 57A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 57A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA92EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA92EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA92EP-T1_GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 75A SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 75A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA04EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA04EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA04EP-T1_GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 80V SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJB90EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJB90EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJB90EP-T1_GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 6.8A(Ta) 60W(Tc) DPAK
型号:
TK7P65W,RQ
仓库库存编号:
TK7P65WRQCT-ND
别名:TK7P65WRQCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 100A (Tc) 75W Surface Mount PowerPAK? 8 x 8 Dual
型号:
SQJQ904E-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJQ904E-T1_GE3CT-ND
别名:SQJQ904E-T1_GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 75A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 592W(Tc) TO-247
型号:
FCH043N60
仓库库存编号:
FCH043N60-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 4.7A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.7A(Tc) 62.5W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS481ENW-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS481ENW-T1_GE3CT-ND
别名:SQS481ENW-T1_GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 30A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA96EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA96EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA96EP-T1_GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 50A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Ta) 3.2W(Ta),75W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD18537NQ5AT
仓库库存编号:
296-37747-1-ND
别名:296-37747-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA00EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA00EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA00EP-T1_GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 27A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ416EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ416EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ416EP-T1_GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 48A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 48A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ418EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ418EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ418EP-T1_GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 52W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FCD900N60Z
仓库库存编号:
FCD900N60ZCT-ND
别名:FCD900N60ZCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 52W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
FCU900N60Z
仓库库存编号:
FCU900N60Z-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 7.3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Ta),44A(Tc) 1.3W(Ta), 46W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMT10H015LPS-13
仓库库存编号:
DMT10H015LPS-13DICT-ND
别名:DMT10H015LPS-13DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 8.3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.3A(Ta) 1.2W(Ta) 8-SO
型号:
DMT10H015LSS-13
仓库库存编号:
DMT10H015LSS-13DICT-ND
别名:DMT10H015LSS-13DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.4A(Ta),101A(Tc) 2.5W(Ta),93.75W(Tc) DPAK
型号:
NTD5802NT4G
仓库库存编号:
NTD5802NT4GOSCT-ND
别名:NTD5802NT4GOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Tc) 3.7W(Ta),23W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR698DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR698DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR698DP-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 9.4A
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.4A(Ta),98A(Tc) 1.2W(Ta), 139W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMT10H010LPS-13
仓库库存编号:
DMT10H010LPS-13DICT-ND
别名:DMT10H010LPS-13DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 10.2A(Tc) 31W(Tc) TO-220-3
型号:
FCPF380N60E
仓库库存编号:
FCPF380N60E-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 10.2A(Tc) 106W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP380N60E
仓库库存编号:
FCP380N60E-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.2A(Tc) 106W(Tc) D-Pak
型号:
FCD380N60E
仓库库存编号:
FCD380N60ECT-ND
别名:FCD380N60ECT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR846DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR846DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR846DP-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 39W(Tc) TO-220F-3
型号:
FCPF190N60
仓库库存编号:
FCPF190N60-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA,
无铅
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