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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90N04S402ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N04S402ATMA1CT-ND
别名:IPD90N04S402ATMA1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 95μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD100N04S402ATMA1
仓库库存编号:
IPD100N04S402ATMA1CT-ND
别名:IPD100N04S402ATMA1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 95μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 167W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP023N04NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP023N04NGXKSA1-ND
别名:IPP023N04N G
IPP023N04N G-ND
IPP023N04NGBKSA1
SP000680762
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 95μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90N04S402AKSA1
仓库库存编号:
IPI90N04S402AKSA1-ND
别名:IPI90N04S4-02
IPI90N04S4-02-ND
SP000646194
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 95μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 140A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB020N04N G
仓库库存编号:
IPB020N04N GCT-ND
别名:IPB020N04N GCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 95μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB90N04S402ATMA1
仓库库存编号:
IPB90N04S402ATMA1TR-ND
别名:IPB90N04S4-02
IPB90N04S4-02-ND
SP000646182
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 95μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP90N04S402AKSA1
仓库库存编号:
IPP90N04S402AKSA1-ND
别名:IPP90N04S4-02
IPP90N04S4-02-ND
SP000646200
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 95μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB023N04NGATMA1
仓库库存编号:
IPB023N04NGATMA1CT-ND
别名:IPB023N04N GCT
IPB023N04N GCT-ND
IPB023N04NG
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