品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
详细描述:N 沟道 500mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP298H6327XUSA1
仓库库存编号:
BSP298H6327XUSA1CT-ND
别名:BSP298H6327XUSA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.44A(Ta) 2.5W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO613SPV G
仓库库存编号:
BSO613SPV GCT-ND
别名:BSO613SPV GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 190mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP300H6327XUSA1
仓库库存编号:
BSP300H6327XUSA1CT-ND
别名:BSP300H6327XUSA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 18.6A(Tc) 80W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD18P06P G
仓库库存编号:
SPD18P06P GCT-ND
别名:SPD18P06P GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 18.7A(Ta) 81.1W(Ta) PG-TO263-2
型号:
SPB18P06P G
仓库库存编号:
SPB18P06PGINCT-ND
别名:SPB18P06PGINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO263-3
型号:
BUZ31 H3045A
仓库库存编号:
BUZ31 H3045ACT-ND
别名:BUZ31 H3045ACT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 18.7A(Ta) 81.1W(Ta) PG-TO-220-3
型号:
SPP18P06P H
仓库库存编号:
SPP18P06P H-ND
别名:SP000446906
SPP18P06P G
SPP18P06P G-ND
SPP18P06PH
SPP18P06PHXKSA1
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ30A H
仓库库存编号:
BUZ30A H-ND
别名:BUZ30AH
BUZ30AHXKSA1
SP000682990
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP299H6327XUSA1
仓库库存编号:
BSP299H6327XUSA1CT-ND
别名:BSP299H6327XUSA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 9.5A(Tc) 75W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ32 H
仓库库存编号:
BUZ32 H-ND
别名:BUZ32H
BUZ32HXKSA1
SP000682998
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP613PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP613PH6327XTSA1CT-ND
别名:BSP613PH6327XTSA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 21A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3
型号:
BUZ30AH3045AATMA1
仓库库存编号:
BUZ30AH3045AATMA1CT-ND
别名:BUZ30AH3045AINCT
BUZ30AH3045AINCT-ND
BUZ30AL3045AINCT
BUZ30AL3045AINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 21A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ30A
仓库库存编号:
BUZ30AIN-ND
别名:BUZ30AIN
BUZ30AX
BUZ30AXK
BUZ30AXTIN
BUZ30AXTIN-ND
SP000011336
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73
仓库库存编号:
BUZ73IN-ND
别名:BUZ73IN
BUZ73X
BUZ73XK
BUZ73XTIN
BUZ73XTIN-ND
SP000011372
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3.6A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
BUZ80A
仓库库存编号:
BUZ80AIN-ND
别名:BUZ80AIN
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 60V 18.7A(Ta) 81.1W(Ta) PG-TO-220-3
型号:
SPP18P06PHKSA1
仓库库存编号:
SPP18P06PHKSA1-ND
别名:SP000012300
SPP18P06P
SPP18P06PIN
SPP18P06PIN-ND
SPP18P06PX
SPP18P06PXK
SPP18P06PXTIN
SPP18P06PXTIN-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 3.44A(Ta) 2.5W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO613SPV
仓库库存编号:
BSO613SPV-ND
别名:BSO613SPVT
SP000012847
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 500mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP298 E6327
仓库库存编号:
BSP298 E6327-ND
别名:BSP298E6327T
SP000011109
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 500mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP298L6327HUSA1
仓库库存编号:
BSP298L6327HUSA1TR-ND
别名:BSP298 L6327
BSP298 L6327-ND
BSP298L6327XT
SP000088258
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP299 E6327
仓库库存编号:
BSP299 E6327-ND
别名:BSP299E6327T
SP000011110
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 190mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP300 E6327
仓库库存编号:
BSP300 E6327-ND
别名:BSP300E6327T
SP000011111
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 190mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP300L6327HUSA1
仓库库存编号:
BSP300L6327HUSA1TR-ND
别名:BSP300 L6327
BSP300 L6327-ND
BSP300L6327XT
SP000089201
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.7A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP373 E6327
仓库库存编号:
BSP373 E6327-ND
别名:BSP373E6327T
SP000011121
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP613P
仓库库存编号:
BSP613P-ND
别名:BSP613PT
SP000012301
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 21A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3
型号:
BUZ30A E3045A
仓库库存编号:
BUZ30A E3045A-ND
别名:BUZ30AE3045AT
SP000011337
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
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