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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 18A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 101W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R125C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R125C7XKSA1-ND
  别名：SP001080132
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 440μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 102W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL65R130C7AUMA1
  仓库库存编号：IPL65R130C7AUMA1CT-ND
  别名：IPL65R130C7AUMA1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 440μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 18A（Ta） 101W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R125C7ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R125C7ATMA1-ND
  别名：SP001080134
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 440μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 10A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA65R125C7XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R125C7XKSA1-ND
  别名：SP001080136
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 440μA,
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  MOSFET N-CH 650V TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 18A（Tc） 101W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R125C7XKSA1
  仓库库存编号：IPW65R125C7XKSA1-ND
  别名：SP001080138
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 440μA,
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