规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.5A(Tc) 75W(Tc) D2PAK
型号:
BUZ32 E3045A
仓库库存编号:
BUZ32 E3045A-ND
别名:BUZ32E3045AT
SP000011346
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.5A(Tc) 75W(Tc) PG-TO263-3
型号:
BUZ32H3045AATMA1
仓库库存编号:
BUZ32H3045AATMA1-ND
别名:BUZ32 H3045A
BUZ32 L3045A
BUZ32 L3045A-ND
BUZ32H3045AIN
BUZ32H3045AIN-ND
BUZ32L3045AIN
BUZ32L3045AIN-ND
BUZ32L3045AXT
SP000102174
SP000736086
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73E3046XK
仓库库存编号:
BUZ73E3046XK-ND
别名:BUZ73 E3046
BUZ73 E3046-ND
BUZ73E3046X
SP000011963
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.5A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73A
仓库库存编号:
BUZ73AIN-ND
别名:BUZ73A-ND
BUZ73AIN
BUZ73AX
BUZ73AXK
SP000011373
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.5A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73AE3046XK
仓库库存编号:
BUZ73AE3046XK-ND
别名:BUZ73A E3046
BUZ73A E3046-ND
BUZ73AE3046X
SP000011962
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD07N20
仓库库存编号:
SPD07N20INCT-ND
别名:SPD07N20INCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.2A(Ta),19A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SH
型号:
IRF6655TR1
仓库库存编号:
IRF6655TR1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.2A(Ta),19A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SH
型号:
IRF6665
仓库库存编号:
IRF6665-ND
别名:SP001554114
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.2A(Ta),19A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SH
型号:
IRF6665TR1
仓库库存编号:
IRF6665TR1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73HXKSA1
仓库库存编号:
BUZ73HXKSA1-ND
别名:BUZ73 H
BUZ73 H-ND
BUZ73H
SP000683000
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73H3046XKSA1
仓库库存编号:
BUZ73H3046XKSA1-ND
别名:BUZ73 H3046
BUZ73 H3046-ND
BUZ73H3046
SP000683002
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.5A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73A H
仓库库存编号:
BUZ73A H-ND
别名:BUZ73AH
BUZ73AHXKSA1
SP000683004
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.5A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73A H3046
仓库库存编号:
BUZ73A H3046-ND
别名:BUZ73AH3046
BUZ73AH3046XKSA1
SP000683006
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD07N20GBTMA1
仓库库存编号:
SPD07N20GBTMA1CT-ND
别名:SPD07N20 GCT
SPD07N20 GCT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
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