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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta),19A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SH
型号:
IRF6655TRPBF
仓库库存编号:
IRF6655TRPBFCT-ND
别名:IRF6655TRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL2703TRPBF
仓库库存编号:
IRLL2703TRPBFCT-ND
别名:IRLL2703TRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N03S2L20ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N03S2L20ATMA1CT-ND
别名:IPD30N03S2L20ATMA1CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1.8A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBE20PBF
仓库库存编号:
IRFBE20PBF-ND
别名:*IRFBE20PBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 1.4A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBE20GPBF
仓库库存编号:
IRFIBE20GPBF-ND
别名:*IRFIBE20GPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 9.5A(Tc) 75W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ32 H
仓库库存编号:
BUZ32 H-ND
别名:BUZ32H
BUZ32HXKSA1
SP000682998
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.7A(Tc) 83W(Tc) DPAK
型号:
NDD05N50ZT4G
仓库库存编号:
NDD05N50ZT4GOSCT-ND
别名:NDD05N50ZT4GOSCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 15W(Tc) CPT3
型号:
RSD050N10TL
仓库库存编号:
RSD050N10TLCT-ND
别名:RSD050N10TLCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF5N50FD
仓库库存编号:
AOTF5N50FD-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF730
仓库库存编号:
497-2736-5-ND
别名:497-2736-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.8A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBE20
仓库库存编号:
IRFBE20-ND
别名:*IRFBE20
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.4A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBE20G
仓库库存编号:
IRFIBE20G-ND
别名:*IRFIBE20G
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.8A(Tc) I2PAK
型号:
IRFBE20L
仓库库存编号:
IRFBE20L-ND
别名:*IRFBE20L
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1.8A(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE20S
仓库库存编号:
IRFBE20S-ND
别名:*IRFBE20S
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1.8A(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE20STRL
仓库库存编号:
IRFBE20STRL-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1.8A(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE20STRR
仓库库存编号:
IRFBE20STRR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 6.2A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) I-Pak
型号:
FQU8N25TU
仓库库存编号:
FQU8N25TU-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 6.2A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD8N25TF
仓库库存编号:
FQD8N25TF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 8A(Tc) 3.13W(Ta),87W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB8N25TM
仓库库存编号:
FQB8N25TM-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.7A(Tc) 83W(Tc) I-Pak
型号:
NDD05N50Z-1G
仓库库存编号:
NDD05N50Z-1GOS-ND
别名:NDD05N50Z-1G-ND
NDD05N50Z-1GOS
NDD05N50Z1G
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL2703
仓库库存编号:
IRLL2703-ND
别名:*IRLL2703
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL2703TR
仓库库存编号:
IRLL2703TR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73
仓库库存编号:
BUZ73IN-ND
别名:BUZ73IN
BUZ73X
BUZ73XK
BUZ73XTIN
BUZ73XTIN-ND
SP000011372
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.2A(Ta),19A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SH
型号:
IRF6665TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6665TR1PBFCT-ND
别名:IRF6665TR1PBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.5A(Tc) 75W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ32
仓库库存编号:
BUZ32IN-ND
别名:BUZ32-ND
BUZ32IN
BUZ32X
BUZ32XK
SP000011345
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V,
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