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IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 150W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA8N50P
仓库库存编号:
IXTA8N50P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK6A65D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK6A65D(STA4QM)-ND
别名:TK6A65D(STA4QM)
TK6A65DSTA4QM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA4N100Q-TRL
仓库库存编号:
IXFA4N100Q-TRLCT-ND
别名:IXFA4N100Q-TRLCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 100V SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJ974EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ974EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ974EP-T1_GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 200W(Tc) TO-263
型号:
IXFA3N120TRL
仓库库存编号:
IXFA3N120TRLCT-ND
别名:IXFA3N120TRLCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP4N100Q
仓库库存编号:
IXFP4N100Q-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP3N120
仓库库存编号:
IXFP3N120-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 15A POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 184W(Tc) TO-263
型号:
R6015KNJTL
仓库库存编号:
R6015KNJTLCT-ND
别名:R6015KNJTLCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 15A POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 60W(Tc) TO-220FM
型号:
R6015KNX
仓库库存编号:
R6015KNX-ND
别名:R6015KNXTR
R6015KNXTR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 15A TO3P-3
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 60W(Tc) TO-3PF
型号:
R6015KNZC8
仓库库存编号:
R6015KNZC8-ND
别名:R6015KNZC8TR
R6015KNZC8TR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 60V 24A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 29W(Tc) TO-220F
型号:
FKI06269
仓库库存编号:
FKI06269-ND
别名:FKI06269 DK
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 60V 25A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 32W(Tc) TO-252
型号:
DKI06261
仓库库存编号:
DKI06261CT-ND
别名:DKI06261CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 100V 15A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 32W(Tc) TO-252
型号:
DKI10751
仓库库存编号:
DKI10751CT-ND
别名:DKI10751CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 60V 6A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 3.1W(Ta),40W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
GKI06259
仓库库存编号:
GKI06259CT-ND
别名:GKI06259CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 7.5A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK8A60DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK8A60DA(STA4QM)-ND
别名:TK8A60DA(STA4QM)
TK8A60DASTA4QM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 11A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK11A45D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK11A45D(STA4QM)-ND
别名:TK11A45D(STA4QM)
TK11A45DSTA4QM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 10A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK10A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK10A50D(STA4QM)-ND
别名:TK10A50D(STA4QM)
TK10A50DSTA4QM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 8.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK9A55DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK9A55DA(STA4QM)-ND
别名:TK9A55DA(STA4QM)
TK9A55DASTA4QM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP8N50P
仓库库存编号:
IXTP8N50P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 41W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP8N50PM
仓库库存编号:
IXTP8N50PM-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4.4A(Tc) 42W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP8N50PM
仓库库存编号:
IXFP8N50PM-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH4N100Q
仓库库存编号:
IXFH4N100Q-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-268
型号:
IXFT4N100Q
仓库库存编号:
IXFT4N100Q-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 3.5A(Tc) 80W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR4N100Q
仓库库存编号:
IXFR4N100Q-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V,
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STMicroelectronics
MOSFET N/P-CH 30V 7A/4A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 4A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
STS7C4F30L
仓库库存编号:
497-3232-1-ND
别名:497-3232-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V,
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