规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB140NF55T4
仓库库存编号:
497-4321-1-ND
别名:497-4321-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH52N30Q
仓库库存编号:
IXFH52N30Q-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 60V 77A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 77A(Tc) 80W(Tc) TO-220
型号:
STP77N6F6
仓库库存编号:
497-13553-5-ND
别名:497-13553-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N04S204ATMA4
仓库库存编号:
IPB100N04S204ATMA4CT-ND
别名:IPB100N04S204ATMA4CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N04S203ATMA4
仓库库存编号:
IPB160N04S203ATMA4CT-ND
别名:IPB160N04S203ATMA4CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 42A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 830W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH42N50P2
仓库库存编号:
IXFH42N50P2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 42A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 830W(Tc) TO-268
型号:
IXFT42N50P2
仓库库存编号:
IXFT42N50P2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP141NF55
仓库库存编号:
497-7023-5-ND
别名:497-7023-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB141NF55
仓库库存编号:
STB141NF55-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP140NF55
仓库库存编号:
497-4370-5-ND
别名:497-4370-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.1A(Ta) 910mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS4802NR2G
仓库库存编号:
NTMS4802NR2G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 52A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 300V 52A(Tc) 360W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK52N30Q
仓库库存编号:
IXFK52N30Q-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 52A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 52A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT52N30Q
仓库库存编号:
IXFT52N30Q-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 120A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N03S4L03ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N03S4L03ATMA1-ND
别名:SP000936514
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S204ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N04S204ATMA2-ND
别名:SP001063636
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80N04S204AKSA2
仓库库存编号:
IPI80N04S204AKSA2-ND
别名:SP001063634
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 60A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3
型号:
STW60NE10
仓库库存编号:
497-2643-5-ND
别名:497-2643-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
型号:
STB141NF55-1
仓库库存编号:
STB141NF55-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 55A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 55A(Tc) 1.2W(Ta),77W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP55N03SUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP55N03SUG-E1-AY-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 60A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 60A(Tc) 1.8W(Ta),88W(Tc) TO-263
型号:
NP60N03KUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP60N03KUG-E1-AY-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 52A(Tc) 360W(Tc) TO-268(IXFT)
型号:
IXFT52N30Q TRL
仓库库存编号:
IXFT52N30Q TRL-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N04S204ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N04S204ATMA1TR-ND
别名:IPB100N04S2-04
IPB100N04S2-04-ND
SP000219061
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N04S203ATMA1
仓库库存编号:
IPB160N04S203ATMA1TR-ND
别名:IPB160N04S2-03
IPB160N04S2-03-ND
SP000218151
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S204ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N04S204ATMA1TR-ND
别名:IPB80N04S2-04
IPB80N04S2-04-ND
SP000218154
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N04S204AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N04S204AKSA1-ND
别名:IPI80N04S2-04
IPI80N04S2-04-ND
SP000219058
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V,
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