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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Ta) 1.1W(Ta) SOT-23-6
型号:
ZXMN3A03E6TA
仓库库存编号:
ZXMN3A03E6CT-ND
别名:ZXMN3A03E6CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.1A, 3.4A 1.25W Surface Mount 8-SO
型号:
ZXMC3A17DN8TA
仓库库存编号:
ZXMC3A17DN8CT-ND
别名:ZXMC3A17DN8CT
ZXMC3A17DN8TA-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.6A(Tc) 54W(Tc) D-Pak
型号:
FCD5N60TM
仓库库存编号:
FCD5N60TMCT-ND
别名:FCD5N60TMCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 83W(Tc) D-Pak
型号:
FDD5N60NZTM
仓库库存编号:
FDD5N60NZTMCT-ND
别名:FDD5N60NZTMCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 15A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ148EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ148EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ148EP-T1_GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 40V SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 15A (Tc) 27W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJ946EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ946EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ946EP-T1_GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.6A(Tc) 54W(Tc) D-Pak
型号:
FCD5N60TM_WS
仓库库存编号:
FCD5N60TM_WSCT-ND
别名:FCD5N60TM_WSCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF730APBF
仓库库存编号:
IRF730APBF-ND
别名:*IRF730APBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730ASPBF
仓库库存编号:
IRF730ASPBF-ND
别名:*IRF730ASPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5A TO220FM
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
ZDX050N50
仓库库存编号:
ZDX050N50-ND
别名:ZDX050N50CT
ZDX050N50CT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 33W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF5N60NZ
仓库库存编号:
FDPF5N60NZ-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 100W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP5N60NZ
仓库库存编号:
FDP5N60NZ-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 100W(Tc) D-Pak
型号:
TK6P53D(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK6P53D(T6RSS-Q)-ND
别名:TK6P53DT6RSSQ
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 7A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 100W(Tc) D-Pak
型号:
TK7P50D(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK7P50D(T6RSS-Q)-ND
别名:TK7P50DT6RSSQ
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 6A MP3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 6A(Ta) 65W(Tc) MP-3A
型号:
RJK5033DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK5033DPD-00#J2TR-ND
别名:RJK5033DPD-00#J2-ND
RJK5033DPD-00#J2TR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.6A(Tc) 54W(Tc) I-Pak
型号:
FCU5N60TU
仓库库存编号:
FCU5N60TU-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 5.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK6A55DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK6A55DA(STA4QM)-ND
别名:TK6A55DA(STA4QM)
TK6A55DASTA4QM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 525V 6A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK6A53D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK6A53D(STA4QM)-ND
别名:TK6A53D(STA4QM)
TK6A53DSTA4QM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 7A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK7A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK7A50D(STA4QM)-ND
别名:TK7A50D(STA4QM)
TK7A50DSTA4QM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730ASTRLPBF
仓库库存编号:
IRF730ASTRLPBF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Ta) 27.4W(Tc) TO-220FL
型号:
RJK5033DPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJK5033DPP-M0#T2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 50V 15A(Tc) 50W(Tc) TO-220
型号:
NDP4050L
仓库库存编号:
NDP4050L-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 15A(Tc) 50W(Tc) TO-220
型号:
NDP4060L
仓库库存编号:
NDP4060L-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 15A(Tc) 50W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
NDB4050L
仓库库存编号:
NDB4050LCT-ND
别名:NDB4050LCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Tc) 50W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
NDB4060L
仓库库存编号:
NDB4060LTR-ND
别名:NDB4060LTR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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