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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 60W(Tc) D-Pak
型号:
STD20NF06LT4
仓库库存编号:
497-5888-1-ND
别名:497-5888-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.1A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3P50TM
仓库库存编号:
FQD3P50TMCT-ND
别名:FQD3P50TMCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP36NF06L
仓库库存编号:
497-7522-5-ND
别名:497-7522-5
STP36NF06L-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 2.7A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 2.7A(Tc) 85W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP3P50
仓库库存编号:
FQP3P50-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL4105TRPBF
仓库库存编号:
IRFL4105TRPBFCT-ND
别名:IRFL4105TRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7380TRPBF
仓库库存编号:
IRF7380TRPBFCT-ND
别名:IRF7380TRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3.6A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC30PBF
仓库库存编号:
IRFBC30PBF-ND
别名:*IRFBC30PBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 18.5A(Tc) 11.5W(Tc) 6-PQFN(2x2)
型号:
IRL60HS118
仓库库存编号:
IRL60HS118CT-ND
别名:IRL60HS118CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBC30GPBF
仓库库存编号:
IRFIBC30GPBF-ND
别名:*IRFIBC30GPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
TRENCH 6 40V FET
详细描述:表面贴装 N 沟道 41A(Tc) 30W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5C471NLWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS5C471NLWFTAGOSCT-ND
别名:NVTFS5C471NLWFTAGOSCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 70W(Tc) D2PAK
型号:
STB36NF06LT4
仓库库存编号:
497-6551-1-ND
别名:497-6551-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.1A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3P50TM_F085
仓库库存编号:
FQD3P50TM_F085-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC30SPBF
仓库库存编号:
IRFBC30SPBF-ND
别名:*IRFBC30SPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC30STRLPBF
仓库库存编号:
IRFBC30STRLPBF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC30
仓库库存编号:
IRFBC30-ND
别名:*IRFBC30
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC30S
仓库库存编号:
IRFBC30S-ND
别名:*IRFBC30S
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.5A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBC30G
仓库库存编号:
IRFIBC30G-ND
别名:*IRFIBC30G
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBC30L
仓库库存编号:
IRFBC30L-ND
别名:*IRFBC30L
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC30STRL
仓库库存编号:
IRFBC30STRL-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC30STRR
仓库库存编号:
IRFBC30STRR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) TO-262-3
型号:
IRFBC30LPBF
仓库库存编号:
IRFBC30LPBF-ND
别名:*IRFBC30LPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 500V 2.1A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3P50TF
仓库库存编号:
FQD3P50TF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 2.1A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 500V 2.1A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) I-Pak
型号:
FQU3P50TU
仓库库存编号:
FQU3P50TU-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 1.9A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 500V 1.9A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF3P50
仓库库存编号:
FQPF3P50-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 2.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 500V 2.7A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB3P50TM
仓库库存编号:
FQB3P50TM-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V,
无铅
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