规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 22400pF @ 25V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 163A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 163A (Tc) 1136W(Tc) SP6
型号:
APTM50DAM19G
仓库库存编号:
APTM50DAM19G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 22400pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 163A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 163A (Tc) 1136W(Tc) SP6
型号:
APTM50SKM19G
仓库库存编号:
APTM50SKM19G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 22400pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 500V 163A 1136W Chassis Mount SP6
型号:
APTM50AM19FG
仓库库存编号:
APTM50AM19FG-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 22400pF @ 25V,
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 500V 170A 1250W Chassis Mount SP4
型号:
APTM50AM19STG
仓库库存编号:
APTM50AM19STG-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 22400pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 163A 1136W Chassis Mount SP6
型号:
APTM50DUM19G
仓库库存编号:
APTM50DUM19G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 22400pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 163A J3
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 163A (Tc) 1136W(Tc) 模块
型号:
APTM50UM19SG
仓库库存编号:
APTM50UM19SG-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 22400pF @ 25V,
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