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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 250V 50A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Ta) 150W(Tc) TO-3P
型号:
RJK2508DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK2508DPK-00#T0-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 25A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Ta) 150W(Ta) TO-3P
型号:
RJK5015DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK5015DPK-00#T0-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Ta) 60W(Tc) TO-3PFM
型号:
RJK5015DPM-00#T1
仓库库存编号:
RJK5015DPM-00#T1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 8A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 180W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH8N80
仓库库存编号:
IXFH8N80-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 6A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6A(Tc) 180W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH6N90
仓库库存编号:
IXTH6N90-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 5A(Tc) 180W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH5N100A
仓库库存编号:
IXTH5N100A-ND
别名:Q917004
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 6A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6A(Tc) 180W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH6N90A
仓库库存编号:
IXTH6N90A-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 75W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC100N04S52R8ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S52R8ATMA1-ND
别名:SP001418102
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 13A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
STW13NB60
仓库库存编号:
497-2772-5-ND
别名:497-2772-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 17A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB20NK50ZT4
仓库库存编号:
497-4323-1-ND
别名:497-4323-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 16A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 400V 16A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP350
仓库库存编号:
IRFP350-ND
别名:*IRFP350
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 500V 14A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP450
仓库库存编号:
IRFP450IR-ND
别名:*IRFP450
IRFP450IR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH6N90
仓库库存编号:
IXFH6N90-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 16A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 550V 16A(Ta) TO-220SIS
型号:
TK16A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK16A55D(STA4QM)-ND
别名:TK16A55D(STA4QM)
TK16A55DSTA4QM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 96W(Tc) D2PAK
型号:
BUK968R3-40E,118
仓库库存编号:
568-9893-1-ND
别名:568-9893-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 21A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 21A(Ta) 150W(Tc) TO-3P
型号:
RJK6015DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK6015DPK-00#T0-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM
详细描述:通孔 N 沟道 600V 21A(Ta) 60W(Tc) TO-3PFM
型号:
RJK6015DPM-00#T1
仓库库存编号:
RJK6015DPM-00#T1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 57A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 57A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9518-55,127
仓库库存编号:
BUK9518-55,127-ND
别名:934045210127
BUK9518-55
BUK9518-55-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 110V 30.4A SOT186A
详细描述:通孔 N 沟道 110V 30.4A(Tc) 62.5W(Tc) TO-220-3
型号:
PHX45NQ11T,127
仓库库存编号:
PHX45NQ11T,127-ND
别名:934058293127
PHX45NQ11T
PHX45NQ11T-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 45.8A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 45.8A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH1875L,115
仓库库存编号:
PH1875L,115-ND
别名:934059871115
PH1875L T/R
PH1875L T/R-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 47A(Tc) TO-220AB
型号:
PHP45NQ10TA,127
仓库库存编号:
PHP45NQ10TA,127-ND
别名:934059957127
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 96W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK958R5-40E,127
仓库库存编号:
568-9867-5-ND
别名:568-9867-5
934066422127
BUK958R540E127
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 96W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E8R5-40E,127
仓库库存编号:
568-9878-5-ND
别名:568-9878-5
934066415127
BUK9E8R540E127
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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