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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 7A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
STS7PF30L
仓库库存编号:
497-3233-1-ND
别名:497-3233-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 47A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Tc) 150W(Tc) DPAK
型号:
PSMN025-100D,118
仓库库存编号:
1727-6295-1-ND
别名:1727-6295-1
568-8113-1
568-8113-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 17A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
STW20NK50Z
仓库库存编号:
497-3261-5-ND
别名:497-3261-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V TO-3
详细描述:通孔 N 沟道 38A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA38N30
仓库库存编号:
FDA38N30-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 16A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP350PBF
仓库库存编号:
IRFP350PBF-ND
别名:*IRFP350PBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP450PBF
仓库库存编号:
IRFP450PBF-ND
别名:*IRFP450PBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 180W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH6N100
仓库库存编号:
IXFH6N100-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 13A SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ454EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ454EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ454EP-T1_GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 47A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
PHB45NQ10T,118
仓库库存编号:
1727-4766-1-ND
别名:1727-4766-1
568-5943-1
568-5943-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP45NQ10T,127
仓库库存编号:
1727-4649-ND
别名:1727-4649
568-5766
568-5766-5
568-5766-5-ND
568-5766-ND
934055804127
PHP45NQ10T
PHP45NQ10T,127-ND
PHP45NQ10T-ND
PHP45NQ10T127
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 17A I2PAK FP
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 40W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI20NK50Z
仓库库存编号:
497-12858-5-ND
别名:497-12858-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 17A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF20NK50Z
仓库库存编号:
497-8894-5-ND
别名:497-8894-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXFH)
型号:
IXFH21N50F
仓库库存编号:
IXFH21N50F-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 130A F7 8PWRFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 130A(Tc) 4.8W(Ta), 125W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL130N6F7
仓库库存编号:
497-15910-1-ND
别名:497-15910-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB21NK50Z
仓库库存编号:
497-8767-1-ND
别名:497-8767-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A F7 TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
STP130N6F7
仓库库存编号:
497-15889-5-ND
别名:497-15889-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 500W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP22N60P3
仓库库存编号:
IXFP22N60P3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 500W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ22N60P3
仓库库存编号:
IXFQ22N60P3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 17A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
STP20NK50Z
仓库库存编号:
497-7515-5-ND
别名:497-7515-5
STP20NK50Z-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A F7 D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
STB130N6F7
仓库库存编号:
497-15895-1-ND
别名:497-15895-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 500W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH22N60P3
仓库库存编号:
IXFH22N60P3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 180W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH9N80
仓库库存编号:
IXFH9N80-ND
别名:Q3837074
Q4932885
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK15A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK15A60D(STA4QM)-ND
别名:TK15A60D(STA4QM)
TK15A60DSTA4QM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK18A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK18A50D(STA4QM)-ND
别名:TK18A50D(STA4QM)
TK18A50DSTA4QM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 19A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK19A45D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK19A45D(STA4QM)-ND
别名:TK19A45D(STA4QM)
TK19A45DSTA4QM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V,
无铅
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