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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 77A(Tc) 568W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT77N60JC3
仓库库存编号:
APT77N60JC3-ND
别名:APT77N60JC3MI
APT77N60JC3MI-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13600pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 94A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 94A(Tc) 833W(Tc) 264 MAX? [L2]
型号:
APT94N60L2C3G
仓库库存编号:
APT94N60L2C3G-ND
别名:APT94N60L2C3GMI
APT94N60L2C3GMI-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 1250W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX120N65X2
仓库库存编号:
IXTX120N65X2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 120A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 1250W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK120N65X2
仓库库存编号:
IXTK120N65X2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 49A(Tc) 960W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN62N80Q3
仓库库存编号:
IXFN62N80Q3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 44A(Tc) 1560W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB44N100Q3
仓库库存编号:
IXFB44N100Q3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13600pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 77A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 77A(Tc) 481W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT77N60BC6
仓库库存编号:
APT77N60BC6-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13600pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 77A(Tc) 481W(Tc) D3Pak
型号:
APT77N60SC6
仓库库存编号:
APT77N60SC6-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1100V 30A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX30N110P
仓库库存编号:
IXFX30N110P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 1100V 30A(Tc) 960W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK30N110P
仓库库存编号:
IXFK30N110P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1100V 16A(Tc) 320W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR30N110P
仓库库存编号:
IXFR30N110P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 62A(Tc) 1560W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB62N80Q3
仓库库存编号:
IXFB62N80Q3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 30A(Tc) 694W(Tc) 24-SMPD
型号:
MMIX1F44N100Q3
仓库库存编号:
MMIX1F44N100Q3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1100V 25A(Tc) 695W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN30N110P
仓库库存编号:
IXFN30N110P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 38A(Tc) 960W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN44N100Q3
仓库库存编号:
IXFN44N100Q3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13600pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 110A(Tc) 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110N04-2M3L-E3
仓库库存编号:
SUM110N04-2M3L-E3CT-ND
别名:SUM110N04-2M3L-E3-ND
SUM110N04-2M3L-E3CT
SUM110N042M3LE3
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13600pF @ 25V,
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