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IXYS
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Tc) 100W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY1R6N50D2
仓库库存编号:
IXTY1R6N50D2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 645pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1.6A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP1R6N50D2
仓库库存编号:
IXTP1R6N50D2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 645pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Tc) 100W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY1R6N100D2
仓库库存编号:
IXTY1R6N100D2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 645pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1.6A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP1R6N100D2
仓库库存编号:
IXTP1R6N100D2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 645pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Tc) 100W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA1R6N100D2
仓库库存编号:
IXTA1R6N100D2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 645pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 1.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Tc) 100W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA1R6N50D2
仓库库存编号:
IXTA1R6N50D2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 645pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 20A(Tc) 60W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76413D3S
仓库库存编号:
HUFA76413D3S-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 645pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Tc) 60W(Tc) TO-251AA
型号:
HUFA76413D3
仓库库存编号:
HUFA76413D3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 645pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 20A(Tc) 60W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76413D3ST
仓库库存编号:
HUFA76413D3ST-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 645pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 23A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 23A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA76413P3
仓库库存编号:
HUFA76413P3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 645pF @ 25V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 32.9W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M005A050FG
仓库库存编号:
GP2M005A050FG-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 645pF @ 25V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 98.4W(Tc) TO-220
型号:
GP2M005A050HG
仓库库存编号:
GP2M005A050HG-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 645pF @ 25V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 98.4W(Tc) D-Pak
型号:
GP2M005A050CG
仓库库存编号:
1560-1197-1-ND
别名:1560-1197-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 645pF @ 25V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 98.4W(Tc) I-Pak
型号:
GP2M005A050PG
仓库库存编号:
1560-1198-5-ND
别名:1560-1198-1
1560-1198-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 645pF @ 25V,
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