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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.1A(Ta) 625mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXM61P03FTA
仓库库存编号:
ZXM61P03FCT-ND
别名:ZXM61P03F
ZXM61P03FCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 790mA(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL214TRPBF
仓库库存编号:
IRFL214PBFCT-ND
别名:*IRFL214TRPBF
IRFL214PBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3.3A(Tc) 36W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF610PBF
仓库库存编号:
IRF610PBF-ND
别名:*IRF610PBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 600mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD210PBF
仓库库存编号:
IRFD210PBF-ND
别名:*IRFD210PBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 0.96A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 960mA(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL210TRPBF
仓库库存编号:
IRFL210TRPBFCT-ND
别名:*IRFL210TRPBF
IRFL210PBFCT
IRFL210PBFCT-ND
IRFL210TRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.6A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 2.6A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU210PBF
仓库库存编号:
IRFU210PBF-ND
别名:*IRFU210PBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.2A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 2.2A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU214PBF
仓库库存编号:
IRFU214PBF-ND
别名:*IRFU214PBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 350mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP89H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP89H6327XTSA1CT-ND
别名:BSP89H6327XTSA1CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR210TRPBF
仓库库存编号:
IRFR210PBFCT-ND
别名:*IRFR210TRPBF
IRFR210PBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR214TRPBF
仓库库存编号:
IRFR214TRPBFCT-ND
别名:IRFR214TRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.4A(Tc) 50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY1R4N60P
仓库库存编号:
IXTY1R4N60P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF610SPBF
仓库库存编号:
IRF610SPBF-ND
别名:*IRF610SPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Tc) 3.1W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF614SPBF
仓库库存编号:
IRF614SPBF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR210TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR210TRLPBFCT-ND
别名:IRFR210TRLPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 540mW(Ta) TSMT3
型号:
RSR010N10TL
仓库库存编号:
RSR010N10TLCT-ND
别名:RSR010N10TLCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 450mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD214PBF
仓库库存编号:
IRFD214PBF-ND
别名:*IRFD214PBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR214PBF
仓库库存编号:
IRFR214PBF-ND
别名:*IRFR214PBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR214TRRPBF
仓库库存编号:
IRFR214TRRPBF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 250V 2.7A(Tc) 36W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF614PBF
仓库库存编号:
IRF614PBF-ND
别名:*IRF614PBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 250V 2.1A(Tc) 23W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI614GPBF
仓库库存编号:
IRFI614GPBF-ND
别名:*IRFI614GPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) I2PAK
型号:
IRF610LPBF
仓库库存编号:
IRF610LPBF-ND
别名:*IRF610LPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 1.6A(Tc) 43W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY1R6N50P
仓库库存编号:
IXTY1R6N50P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF610STRLPBF
仓库库存编号:
IRF610STRLPBF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF610STRRPBF
仓库库存编号:
IRF610STRRPBF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Tc) 3.1W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF614STRRPBF
仓库库存编号:
IRF614STRRPBF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V,
无铅
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