规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 116A(Tc),
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 116A(Tc) 800mW(Ta),142W(Tc) 8-DSOP Advance
型号:
TPW4R008NH,L1Q
仓库库存编号:
TPW4R008NHL1QCT-ND
别名:TPW4R008NHL1QCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 116A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 116A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL2203NPBF
仓库库存编号:
IRL2203NPBF-ND
别名:*IRL2203NPBF
SP001573688
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 116A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 116A(Tc) 3.8W(Ta),180W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2203NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRL2203NSTRLPBFCT-ND
别名:IRL2203NSTRLPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 116A(Tc),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 116A(Tc) 3W(Ta),150W(Tc) D2PAK
型号:
NTB5405NT4G
仓库库存编号:
NTB5405NT4G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 116A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 116A(Tc) 3290W(Tc) SP6
型号:
APTM120U10SAG
仓库库存编号:
APTM120U10SAG-ND
别名:APTM120U10SAGMI
APTM120U10SAGMI-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 116A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 116A(Tc) 3290W(Tc) SP6
型号:
APTM120U10SCAVG
仓库库存编号:
APTM120U10SCAVG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 116A(Tc),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 116A(Tc) 3W(Ta),150W(Tc) D2PAK
型号:
NTB5405NG
仓库库存编号:
NTB5405NG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 116A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 116A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
94-2304
仓库库存编号:
94-2304-ND
别名:*IRL2203N
IRL2203N
IRL2203N-ND
SP001521934
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 116A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 116A(Tc) 3.8W(Ta),180W(Tc) D2PAK
型号:
94-2113
仓库库存编号:
94-2113-ND
别名:*IRL2203NS
IRL2203NS
IRL2203NS-ND
SP001517146
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 116A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 116A(Tc) 3.8W(Ta),180W(Tc) TO-262
型号:
IRL2203NL
仓库库存编号:
IRL2203NL-ND
别名:*IRL2203NL
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 116A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 116A(Tc) 3.8W(Ta),180W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2203NSTRR
仓库库存编号:
IRL2203NSTRR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 116A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 116A(Tc) 3.8W(Ta),180W(Tc) TO-262
型号:
IRL2203NLPBF
仓库库存编号:
IRL2203NLPBF-ND
别名:*IRL2203NLPBF
SP001558636
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 116A(Tc),
无铅
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