规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(50)
分立半导体产品
(50)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (4)
Diodes Incorporated (9)
Infineon Technologies (5)
Fairchild/ON Semiconductor (9)
ON Semiconductor (15)
Toshiba Semiconductor and Storage (1)
Vishay Siliconix (7)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3L
型号:
AO3403
仓库库存编号:
785-1003-1-ND
别名:785-1003-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2304BDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2304BDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2304BDS-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXMP7A17GTA
仓库库存编号:
ZXMP7A17GCT-ND
别名:ZXMP7A17GCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT-223-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 1.69W(Ta) SOT-223
型号:
NCV8440ASTT1G
仓库库存编号:
NCV8440ASTT1GOSCT-ND
别名:NCV8440ASTT1GOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXMP10A18GTA
仓库库存编号:
ZXMP10A18GCT-ND
别名:ZXMP10A18GCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3L
型号:
AO3409
仓库库存编号:
785-1007-1-ND
别名:785-1007-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML2246TRPBF
仓库库存编号:
IRLML2246TRPBFCT-ND
别名:IRLML2246TRPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2304BDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2304BDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2304BDS-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 500mW(Ta) ES6
型号:
SSM6J213FE(TE85L,F
仓库库存编号:
SSM6J213FE(TE85LFCT-ND
别名:SSM6J213FE(TE85LFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 1.2W(Ta) TSOT-26
型号:
DMN10H170SVT-7
仓库库存编号:
DMN10H170SVT-7DICT-ND
别名:DMN10H170SVT-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 2.6A(Ta) 1.2W(Ta) TSOT-26
型号:
DMN10H170SVTQ-7
仓库库存编号:
DMN10H170SVTQ-7DICT-ND
别名:DMN10H170SVTQ-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 1.08W(Ta) SOT-23-3
型号:
DMP2225L-7
仓库库存编号:
DMP2225LDICT-ND
别名:DMP2225LDICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V 2.6A 4-UFCSP
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 820mW(Ta) U-WLB1010-4
型号:
DMP1096UCB4-7
仓库库存编号:
DMP1096UCB4-7DICT-ND
别名:DMP1096UCB4-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 1.1W(Ta) SOT-223-4
型号:
HUFA75307T3ST
仓库库存编号:
HUFA75307T3STCT-ND
别名:HUFA75307T3STCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 1.4W(Ta) 6-MicroFET(1.6x1.6)
型号:
FDFME2P823ZT
仓库库存编号:
FDFME2P823ZTCT-ND
别名:FDFME2P823ZTCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 2.6A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC3612
仓库库存编号:
FDC3612CT-ND
别名:FDC3612CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 1.3W(Ta) 4-WLCSP(0.80x0.80)
型号:
FDZ661PZ
仓库库存编号:
FDZ661PZCT-ND
别名:FDZ661PZCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2.6A SSOT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 1.5W(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN86501LZ
仓库库存编号:
FDN86501LZCT-ND
别名:FDN86501LZCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 2.8W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL4315TRPBF
仓库库存编号:
IRFL4315TRPBFCT-ND
别名:IRFL4315TRPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 500mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN3067LW-7
仓库库存编号:
DMN3067LW-7DICT-ND
别名:DMN3067LW-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN306P
仓库库存编号:
FDN306PCT-ND
别名:FDN306P_F095CT
FDN306P_F095CT-ND
FDN306PCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 630mW(Ta) 6-TSOP
型号:
NTGS4111PT1G
仓库库存编号:
NTGS4111PT1GOSCT-ND
别名:NTGS4111PT1GOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXMP7A17GQTA
仓库库存编号:
ZXMP7A17GQTADICT-ND
别名:ZXMP7A17GQTADICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 710mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2302CDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2302CDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2302CDS-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 710mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2302CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2302CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2302CDS-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta),
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号