品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.8A(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9520NPBF
仓库库存编号:
IRF9520NPBF-ND
别名:*IRF9520NPBF
Q5233848
SP001554524
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 26W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R1K0CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R1K0CEXKSA1-ND
别名:SP001429478
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520NS
仓库库存编号:
IRF9520NS-ND
别名:*IRF9520NS
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) TO-262
型号:
IRF9520NL
仓库库存编号:
IRF9520NL-ND
别名:*IRF9520NL
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520NSTRL
仓库库存编号:
IRF9520NSTRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520NSTRR
仓库库存编号:
IRF9520NSTRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520NSPBF
仓库库存编号:
IRF9520NSPBF-ND
别名:SP001551696
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262-3
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) TO-262
型号:
IRF9520NLPBF
仓库库存编号:
IRF9520NLPBF-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 30W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R520CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R520CPXKSA1-ND
别名:IPA60R520CP
IPA60R520CP-ND
SP000405856
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 66W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R520CPAKSA1
仓库库存编号:
IPI60R520CPAKSA1-ND
别名:IPI60R520CP
IPI60R520CP-ND
SP000405872
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6.8A(Tc) 66W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R520CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP60R520CPXKSA1-ND
别名:IPP60R520CP
IPP60R520CP-ND
SP000405860
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 66W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R520CPATMA1
仓库库存编号:
IPB60R520CPATMA1CT-ND
别名:IPB60R520CPCT
IPB60R520CPCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 66W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R520CPBTMA1
仓库库存编号:
IPD60R520CPBTMA1CT-ND
别名:IPD60R520CPCT
IPD60R520CPCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 6.8A(Tc) 35W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R310CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA80R310CEXKSA1-ND
别名:SP001271076
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 66W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R520CPATMA1
仓库库存编号:
IPD60R520CPATMA1-ND
别名:SP000680640
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
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