规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Tc) 83W(Tc) DPAK
型号:
NDD04N60ZT4G
仓库库存编号:
NDD04N60ZT4GOSCT-ND
别名:NDD04N60ZT4GOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 4.1A(Tc) 83W(Tc) I-Pak
型号:
NDD04N60Z-1G
仓库库存编号:
NDD04N60Z-1GOS-ND
别名:NDD04N60Z-1G-ND
NDD04N60Z-1GOS
NDD04N60Z1G
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4.1A
详细描述:通孔 N 沟道 4.1A(Tc) 2W(Ta),37W(Tc) TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
型号:
BFL4001-1E
仓库库存编号:
BFL4001-1E-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4.1A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 900V 4.1A(Tc) 90W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF5N90
仓库库存编号:
FQAF5N90-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc),
无铅
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