规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(126)
分立半导体产品
(126)
筛选品牌
Infineon Technologies(44)
IXYS(33)
Microsemi Corporation(2)
Renesas Electronics America(5)
STMicroelectronics(40)
Vishay BC Components(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 85V 180A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 85V 180A(Tc) 560W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX180N085
仓库库存编号:
IXFX180N085-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 70V 180A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 70V 180A(Tc) 568W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK180N07
仓库库存编号:
IXFK180N07-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 85V 180A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 85V 180A(Tc) 560W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK180N085
仓库库存编号:
IXFK180N085-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 180A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 150V 180A(Tc) 730W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK180N15
仓库库存编号:
IXTK180N15-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 70V 180A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 70V 180A(Tc) 417W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR180N07
仓库库存编号:
IXFR180N07-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 85V 180A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 85V 180A(Tc) 400W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR180N085
仓库库存编号:
IXFR180N085-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 60V 180A(Tc) 560W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR180N06
仓库库存编号:
IXFR180N06-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 70V 180A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN180N07
仓库库存编号:
IXFN180N07-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 180A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 180A(Tc) 1250W(Tc) SP6
型号:
APTM50DAM17G
仓库库存编号:
APTM50DAM17G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 180A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 180A(Tc) 1250W(Tc) SP6
型号:
APTM50SKM17G
仓库库存编号:
APTM50SKM17G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 180A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N03S4L01ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N03S4L01ATMA1TR-ND
别名:IPB180N03S4L-01
IPB180N03S4L-01-ND
SP000555002
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 180A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180P04P403ATMA1
仓库库存编号:
IPB180P04P403ATMA1-ND
别名:SP000840202
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 180A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S4L01ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N04S4L01ATMA1-ND
别名:SP000979928
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N03S4LH0ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N03S4LH0ATMA1TR-ND
别名:IPB180N03S4L-H0
IPB180N03S4L-H0-ND
SP000555050
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S4LH0ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N04S4LH0ATMA1-ND
别名:SP000979636
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 180A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S3-02
仓库库存编号:
IPB180N04S302ATMA1CT-ND
别名:IPB180N04S3-02CT
IPB180N04S3-02CT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N06S4H1ATMA2
仓库库存编号:
IPB180N06S4H1ATMA2-ND
别名:SP001028786
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N10S403ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N10S403ATMA1-ND
别名:SP000915592
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 180A(Tc) 277W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N08S402ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N08S402ATMA1-ND
别名:SP000983458
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB024N10N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB024N10N5ATMA1-ND
别名:SP001482034
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 180A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 180A(Tc) 300W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRF2907ZS7PTL
仓库库存编号:
AUIRF2907ZS7PTL-ND
别名:SP001516558
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 180A(Tc) 370W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRLS4030TRL
仓库库存编号:
AUIRLS4030TRL-ND
别名:SP001520410
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 24V 180A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 24V 180A(Tc) 380W(Tc) TO-247AD
型号:
AUIRFP2602
仓库库存编号:
AUIRFP2602-ND
别名:SP001522246
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 180A(Tc) 300W(Tc) H2Pak-2
型号:
STH210N75F6-2
仓库库存编号:
497-11251-1-ND
别名:497-11251-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 180A(Tc) 480W(Tc) SOT-227B
型号:
FB180SA10
仓库库存编号:
FB180SA10-ND
别名:*FB180SA10
VS-FB180SA10
VS-FB180SA10-ND
VSFB180SA10
VSFB180SA10-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
含铅
搜索
1
2
3
4
5
6
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号