规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 110W(Tc) TO-247
型号:
STW13N60M2
仓库库存编号:
497-15012-5-ND
别名:497-15012-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 156W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT11N80BC3G
仓库库存编号:
APT11N80BC3G-ND
别名:APT11N80BC3GMI
APT11N80BC3GMI-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 11A MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Tc) 2.77W(Ta),13W(Tc) 6-Micro Foot?
型号:
SI8447DB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8447DB-T2-E1CT-ND
别名:SI8447DB-T2-E1CT
SI8447DBT2E1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 700mW(Ta),19W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN11003NL,LQ
仓库库存编号:
TPN11003NLLQCT-ND
别名:TPN11003NLLQCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 272W(Tc) TO-262
型号:
AOW11N60
仓库库存编号:
785-1426-5-ND
别名:785-1426-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 37.9W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF11N60L
仓库库存编号:
785-1435-5-ND
别名:785-1435-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 90W(Tc) D-Pak
型号:
STD13NM60N
仓库库存编号:
497-8773-1-ND
别名:497-8773-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9640STRLPBF
仓库库存编号:
IRF9640STRLPBFCT-ND
别名:IRF9640STRLPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 124W(Tc) TO-263
型号:
R6011KNJTL
仓库库存编号:
R6011KNJTLCT-ND
别名:R6011KNJTLCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 73W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP80R450P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP80R450P7XKSA1-ND
别名:SP001422730
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 40W(Tc) LPTS(D2PAK)
型号:
R6011ENJTL
仓库库存编号:
R6011ENJTLCT-ND
别名:R6011ENJTLCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 130W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SIHH11N65EF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHH11N65EF-T1-GE3CT-ND
别名:SIHH11N65EF-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R225C7ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R225C7ATMA1CT-ND
别名:IPD65R225C7ATMA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 110W(Tc) DPAK
型号:
STD13N60M2
仓库库存编号:
497-13862-1-ND
别名:497-13862-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
STD12NM50ND
仓库库存编号:
497-10020-1-ND
别名:497-10020-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 230W(Tc) TO-247-3
型号:
STW12NK90Z
仓库库存编号:
497-4421-5-ND
别名:497-4421-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
FQA11N90C_F109
仓库库存编号:
FQA11N90C_F109-ND
别名:FQA11N90CF109
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP11N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP11N60C3XKSA1-ND
别名:SP000681040
SPP11N60C3
SPP11N60C3BKSA1
SPP11N60C3IN
SPP11N60C3IN-ND
SPP11N60C3X
SPP11N60C3XIN
SPP11N60C3XIN-ND
SPP11N60C3XK
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 500 V, 0.35 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 110W(Tc) DPAK
型号:
STD12N50DM2
仓库库存编号:
497-16347-1-ND
别名:497-16347-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU13N60M2
仓库库存编号:
497-13885-5-ND
别名:497-13885-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) SOT-223
型号:
TSM900N06CW RPG
仓库库存编号:
TSM900N06CW RPGTR-ND
别名:TSM900N06CW RPGTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) SOT-223
型号:
TSM900N06CW RPG
仓库库存编号:
TSM900N06CW RPGCT-ND
别名:TSM900N06CW RPGCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) SOT-223
型号:
TSM900N06CW RPG
仓库库存编号:
TSM900N06CW RPGDKR-ND
别名:TSM900N06CW RPGDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM900N06CP ROG
仓库库存编号:
TSM900N06CP ROGTR-ND
别名:TSM900N06CP ROGTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM900N06CP ROG
仓库库存编号:
TSM900N06CP ROGCT-ND
别名:TSM900N06CP ROGCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
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