规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB11N60C3
仓库库存编号:
SPB11N60C3INCT-ND
别名:SPB11N60C3INCT
SPB11N60C3XTINCT
SPB11N60C3XTINCT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 178W(Tc) TO-220
型号:
AOT11S60L
仓库库存编号:
785-1250-5-ND
别名:785-1250-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A EP TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 110W(Tc) TO-220
型号:
STP15N60M2-EP
仓库库存编号:
497-15891-5-ND
别名:497-15891-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPC50APBF
仓库库存编号:
IRFPC50APBF-ND
别名:*IRFPC50APBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 156W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R500C3
仓库库存编号:
IPW90R500C3-ND
别名:IPW90R500C3FKSA1
SP000413756
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 11A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 11A(Tc) 48W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9540GPBF
仓库库存编号:
IRFI9540GPBF-ND
别名:*IRFI9540GPBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 11A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP340PBF
仓库库存编号:
IRFP340PBF-ND
别名:*IRFP340PBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 96W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R299CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP60R299CPXKSA1-ND
别名:IPP60R299CP
IPP60R299CPAKSA1
IPP60R299CPIN
IPP60R299CPIN-ND
IPP60R299CPX
IPP60R299CPXK
IPP60R299CPXTIN
IPP60R299CPXTIN-ND
SP000084280
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW11N60C3
仓库库存编号:
SPW11N60C3IN-ND
别名:SP000013728
SPW11N60C3-ND
SPW11N60C3FKSA1
SPW11N60C3IN
SPW11N60C3X
SPW11N60C3XK
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 11A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM160P02CS RLG
仓库库存编号:
TSM160P02CS RLGTR-ND
别名:TSM160P02CS RLGTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 11A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM160P02CS RLG
仓库库存编号:
TSM160P02CS RLGCT-ND
别名:TSM160P02CS RLGCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 11A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM160P02CS RLG
仓库库存编号:
TSM160P02CS RLGDKR-ND
别名:TSM160P02CS RLGDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Tc) 2.7W(Tc) 8-SO
型号:
STS11N3LLH5
仓库库存编号:
497-10310-1-ND
别名:497-10310-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 11A(Tc) 125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM70N380CP ROG
仓库库存编号:
TSM70N380CP ROGTR-ND
别名:TSM70N380CP ROGTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 11A(Tc) 125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM70N380CP ROG
仓库库存编号:
TSM70N380CP ROGCT-ND
别名:TSM70N380CP ROGCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 11A(Tc) 125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM70N380CP ROG
仓库库存编号:
TSM70N380CP ROGDKR-ND
别名:TSM70N380CP ROGDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 114W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SIHH11N60EF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHH11N60EF-T1-GE3CT-ND
别名:SIHH11N60EF-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 36W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF11N60F
仓库库存编号:
FCPF11N60F-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Tc) 125W(Tc)
型号:
IRF9640STRRPBF
仓库库存编号:
IRF9640STRRPBFCT-ND
别名:IRF9640STRRPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP11N60
仓库库存编号:
FCP11N60-ND
别名:FCP11N60_NL
FCP11N60_NL-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI15N60M2-EP
仓库库存编号:
497-15957-5-ND
别名:497-15957-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
STB11NM60FDT4
仓库库存编号:
497-3511-1-ND
别名:497-3511-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 30W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI15N65M5
仓库库存编号:
497-13161-ND
别名:497-13161
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 90W(Tc) I2PAK
型号:
STI13NM60N
仓库库存编号:
497-12258-ND
别名:497-12258
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 96W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R299CP
仓库库存编号:
IPW60R299CP-ND
别名:IPW60R299CPFKSA1
IPW60R299CPX
IPW60R299CPXK
SP000103251
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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