规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU9024N
仓库库存编号:
IRFU9024N-ND
别名:*IRFU9024N
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024NTRL
仓库库存编号:
IRFR9024NTRL-ND
别名:SP001565084
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024NTRR
仓库库存编号:
IRFR9024NTRR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 11A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7424TR
仓库库存编号:
IRF7424TR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP11N60S5HKSA1
仓库库存编号:
SPP11N60S5HKSA1-ND
别名:SPP11N60S5
SPP11N60S5IN
SPP11N60S5IN-ND
SPP11N60S5X
SPP11N60S5XTIN
SPP11N60S5XTIN-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-3-31 整包
型号:
SPA11N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA11N60C3IN-ND
别名:SP000013664
SPA11N60C3
SPA11N60C3IN
SPA11N60C3X
SPA11N60C3XTIN
SPA11N60C3XTIN-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 11A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 11A(Tc) 36W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK75150-55A,127
仓库库存编号:
BUK75150-55A,127-ND
别名:934056261127
BUK75150-55A
BUK75150-55A-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 11A(Tc) 36W(Tc) D2PAK
型号:
BUK76150-55A,118
仓库库存编号:
BUK76150-55A,118-ND
别名:934056272118
BUK76150-55A /T3
BUK76150-55A /T3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 96W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R299CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI60R299CPXKSA1-ND
别名:IPI60R299CP
IPI60R299CP-ND
IPI60R299CPAKSA1
IPI60R299CPX
IPI60R299CPXK
SP000103249
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI11N60S5BKSA1
仓库库存编号:
SPI11N60S5BKSA1-ND
别名:SP000013033
SP000680992
SPI11N60S5
SPI11N60S5-ND
SPI11N60S5IN
SPI11N60S5IN-ND
SPI11N60S5X
SPI11N60S5XK
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP11N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPP11N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000681042
SPP11N60CFD
SPP11N60CFD-ND
SPP11N60CFDIN
SPP11N60CFDIN-ND
SPP11N60CFDX
SPP11N60CFDXK
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW11N60S5FKSA1
仓库库存编号:
SPW11N60S5FKSA1-ND
别名:SP000012462
SPW11N60S5
SPW11N60S5-ND
SPW11N60S5IN
SPW11N60S5IN-ND
SPW11N60S5X
SPW11N60S5XK
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB11N60S5ATMA1
仓库库存编号:
SPB11N60S5ATMA1CT-ND
别名:SPB11N60S5INCT
SPB11N60S5INCT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI11N60CFDHKSA1
仓库库存编号:
SPI11N60CFDHKSA1-ND
别名:SP000229994
SP000680990
SPI11N60CFD
SPI11N60CFD-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFR9024N
仓库库存编号:
AUIRFR9024N-ND
别名:SP001521726
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI11N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPI11N60C3HKSA1-ND
别名:SP000013522
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI11N65C3HKSA1
仓库库存编号:
SPI11N65C3HKSA1-ND
别名:SP000014526
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP11N60CFDHKSA1
仓库库存编号:
SPP11N60CFDHKSA1-ND
别名:SP000014533
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
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