规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 35A(Tc) 88W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
FDU8796_F071
仓库库存编号:
FDU8796_F071-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 35A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 35A(Tc) 176W(Tc) TO-220
型号:
SSP45N20B_FP001
仓库库存编号:
SSP45N20B_FP001-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 35A(Tc) 5.4W(Ta),96W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR838DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR838DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR838DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 8V 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7100DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7100DN-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 35A(Tc) 5.4W(Ta),83.3W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7447ADP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7447ADP-T1-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 35A(Tc) 5.4W(Ta),83.3W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7447ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7447ADP-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 5W(Ta),27.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIJ484DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIJ484DP-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 35A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 35A(Tc) 7.5W(Ta),50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD35N05-26L-E3
仓库库存编号:
SUD35N05-26L-E3CT-ND
别名:SUD35N05-26L-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 35A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 35A(Tc) 403W(Tc) TO-247
型号:
APT5014SLLG/TR
仓库库存编号:
APT5014SLLG/TR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 5W(Ta),27.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR482DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR482DP-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS330DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS330DN-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS448DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS448DN-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 5W(Ta),27.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR330DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR330DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR330DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 300V 35A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH35N30Q
仓库库存编号:
IXFH35N30Q-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
94-4007
仓库库存编号:
94-4007-ND
别名:*IRLR3303
IRLR3303
IRLR3303-ND
Q811927
SP001519058
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3303TR
仓库库存编号:
IRLR3303TR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 35A(Tc) 68W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU3303
仓库库存编号:
IRLU3303-ND
别名:*IRLU3303
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3303TRL
仓库库存编号:
IRLR3303TRL-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3303TRR
仓库库存编号:
IRLR3303TRR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 35A(Tc) 150W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP35N10
仓库库存编号:
SPP35N10IN-ND
别名:SP000013851
SPP35N10IN
SPP35N10X
SPP35N10XTIN
SPP35N10XTIN-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB35N10
仓库库存编号:
SPB35N10INTR-ND
别名:SPB35N10INTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD35N10
仓库库存编号:
SPD35N10INCT-ND
别名:SPD35N10INCT
SPD35N10XTINCT
SPD35N10XTINCT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 35A(Tc) 68W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU3303PBF
仓库库存编号:
IRLU3303PBF-ND
别名:*IRLU3303PBF
SP001577150
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3303TRPBF
仓库库存编号:
IRLR3303PBFCT-ND
别名:*IRLR3303TRPBF
IRLR3303PBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB35N10T
仓库库存编号:
SPB35N10T-ND
别名:SP000013627
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
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