规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 62.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA24DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA24DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA24DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 43W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRC10DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRC10DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRC10DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 57W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISS28DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISS28DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISS28DN-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 27.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIJA58DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIJA58DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIJA58DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA32DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIRA32DP-T1-RE3CT-ND
别名:SIRA32DP-T1-RE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA46EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA46EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA46EP-T1_GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA02EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA02EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA02EP-T1_GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA62EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA62EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA62EP-T1_GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA90EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA90EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA90EP-T1_GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 60A SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ409EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ409EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ409EP-T1_GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 54.3W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRC16DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRC16DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRC16DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 100W(Tc) D-Pak
型号:
STD60NF3LLT4
仓库库存编号:
497-2476-1-ND
别名:497-2476-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 36.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA54DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA54DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA54DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 125V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR696DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR696DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR696DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIJA52DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIJA52DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIJA52DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 60A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 45W(Tc) TO-220FP
型号:
STP80NF55-06FP
仓库库存编号:
STP80NF55-06FP-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
STP60NF03L
仓库库存编号:
497-12616-5-ND
别名:497-12616-5
STP60NF03L-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 780W(Tc)
型号:
IXFH60N65X2
仓库库存编号:
IXFH60N65X2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 27.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA64DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIRA64DP-T1-RE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CH POWERPAK SO-8 BWL 30V 2.1MO
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 27.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA64DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA64DP-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 46W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ446EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ446EP-T1_GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 2.6W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMPH3010LPS-13
仓库库存编号:
DMPH3010LPS-13-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR664DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR664DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR664DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 2.6W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMPH3010LPSQ-13
仓库库存编号:
DMPH3010LPSQ-13-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD60N10S4L12ATMA1
仓库库存编号:
IPD60N10S4L12ATMA1CT-ND
别名:IPD60N10S4L12ATMA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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