规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB60NF10T4
仓库库存编号:
497-7951-1-ND
别名:497-7951-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR846ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR846ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR846ADP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 100W(Tc) D-Pak
型号:
STD100NH02LT4
仓库库存编号:
497-4100-1-ND
别名:497-4100-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
库存产品核实请求
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 2.4W(Ta),330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB61N15DPBF
仓库库存编号:
IRFB61N15DPBF-ND
别名:*IRFB61N15DPBF
SP001560242
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR846DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR846DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR846DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR882ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR882ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR882ADP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR804DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR804DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR804DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7658ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7658ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7658ADP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 1.6W(Ta),78W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH2R306NH,L1Q
仓库库存编号:
TPH2R306NHL1QCT-ND
别名:TPH2R306NHL1QCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 1.6W(Ta),78W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH4R50ANH,L1Q
仓库库存编号:
TPH4R50ANHL1QCT-ND
别名:TPH4R50ANHL1QCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 80V 60A SOP ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 1.6W(Ta),78W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH4R008NH,L1Q
仓库库存编号:
TPH4R008NHL1QCT-ND
别名:TPH4R008NHL1QCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 3.75W(Ta),120W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM60N02-3M9P-E3
仓库库存编号:
SUM60N02-3M9P-E3CT-ND
别名:SUM60N02-3M9P-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
PSMN6R1-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 42W(Tc) LFPAK33
型号:
PSMN6R1-25MLDX
仓库库存编号:
1727-2504-1-ND
别名:1727-2504-1
568-12936-1
568-12936-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V MLFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 79W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK7M9R9-60EX
仓库库存编号:
1727-2566-1-ND
别名:1727-2566-1
568-13010-1
568-13010-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC098N10NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC098N10NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC098N10NS5ATMA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP60NF06L
仓库库存编号:
497-5895-5-ND
别名:497-5895-5
STP60NF06L-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 176W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP60N10T
仓库库存编号:
IXTP60N10T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 60A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 176W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA60N10T
仓库库存编号:
IXTA60N10T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 98W(Tc) TO-220
型号:
TK32E12N1,S1X
仓库库存编号:
TK32E12N1S1X-ND
别名:TK32E12N1,S1X(S
TK32E12N1S1X
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 60A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN60N60
仓库库存编号:
IXFN60N60-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 60A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 145W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF75332P3
仓库库存编号:
HUF75332P3FS-ND
别名:HUF75332P3-ND
HUF75332P3FS
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 80W(Tc) D2PAK
型号:
STB75NH02LT4
仓库库存编号:
497-3515-1-ND
别名:497-3515-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 15A 8-PWRSOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 3W(Ta),50W(Tc) 8-SOIC-EP
型号:
STSJ60NH3LL
仓库库存编号:
497-5252-1-ND
别名:497-5252-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 38W(Tc) PG-TO220-3-31 整包
型号:
IPA057N06N3 G
仓库库存编号:
IPA057N06N3 G-ND
别名:IPA057N06N3G
IPA057N06N3GXKSA1
SP000457582
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 320W(Tc) TO-220AB(IXFP)
型号:
IXFP60N25X3
仓库库存编号:
IXFP60N25X3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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