规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 60A
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 446W(Tc) TO-247
型号:
STW65N65DM2AG
仓库库存编号:
497-16127-5-ND
别名:497-16127-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 1250W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB60N80P
仓库库存编号:
IXFB60N80P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 960W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK60N50L2
仓库库存编号:
IXTK60N50L2-ND
别名:622124
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5W(Ta),40W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA10DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA10DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA10DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIJ478DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIJ478DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIJ478DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR880ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR880ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR880ADP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR494DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR494DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR494DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 2.3W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMP2002UPS-13
仓库库存编号:
DMP2002UPS-13DICT-ND
别名:DMP2002UPS-13DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR866DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR866DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR866DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 60A 10-POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE818DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE818DF-T1-E3CT-ND
别名:SIE818DF-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 300V 60A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 658W(Tc) TO-247
型号:
AOK60N30L
仓库库存编号:
785-1449-5-ND
别名:785-1449-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 390W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4332PBF
仓库库存编号:
IRFB4332PBF-ND
别名:SP001556040
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 1040W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ60N50P3
仓库库存编号:
IXFQ60N50P3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 431W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R045CP
仓库库存编号:
IPW60R045CPIN-ND
别名:IPW60R045CP-ND
IPW60R045CPFKSA1
IPW60R045CPIN
IPW60R045CPXK
IPW60R045CSX
SP000067149
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR812DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR812DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR812DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE868DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE868DF-T1-GE3CT-ND
别名:SIE868DF-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 431W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT60N60BCSG
仓库库存编号:
APT60N60BCSG-ND
别名:APT60N60BCSGMI
APT60N60BCSGMI-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX60N50L2
仓库库存编号:
IXTX60N50L2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 18A 8HSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 3W(Ta),25W(Tc) 8-HSOP
型号:
RS1E180BNTB
仓库库存编号:
RS1E180BNTBCT-ND
别名:RS1E180BNTBCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR788DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR788DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR788DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE808DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE808DF-T1-E3CT-ND
别名:SIE808DF-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISA72DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISA72DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISA72DN-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 60A(Tc) 34.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA84DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA84DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA84DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 60A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 60A(Tc) 52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7111EDN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7111EDN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7111EDN-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 60A(Tc) 106W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN013-80YS,115
仓库库存编号:
1727-4279-1-ND
别名:1727-4279-1
568-4911-1
568-4911-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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