规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(100)
分立半导体产品
(100)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (5)
Diodes Incorporated (3)
Global Power Technologies Group (6)
Infineon Technologies (4)
IXYS (1)
Microsemi Corporation (8)
NXP USA Inc. (3)
Fairchild/ON Semiconductor (8)
ON Semiconductor (1)
Panasonic Electronic Components (2)
STMicroelectronics (27)
Taiwan Semiconductor Corporation (9)
Vishay Siliconix (23)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
FDD3N50NZTM
仓库库存编号:
FDD3N50NZTMCT-ND
别名:FDD3N50NZTMCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 35W(Tc) I-Pak
型号:
FQU3N50CTU
仓库库存编号:
FQU3N50CTU-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 38W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL4N80K5
仓库库存编号:
497-14060-1-ND
别名:497-14060-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF3NK80Z
仓库库存编号:
497-4342-5-ND
别名:497-4342-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 56.8W(Tc) TO-251-3
型号:
AOU3N60
仓库库存编号:
785-1182-5-ND
别名:785-1182-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBC30GPBF
仓库库存编号:
IRFIBC30GPBF-ND
别名:*IRFIBC30GPBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STF3N80K5
仓库库存编号:
497-14272-5-ND
别名:497-14272-5
STF3N80K5-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 99W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM3N100CP ROG
仓库库存编号:
TSM3N100CP ROGTR-ND
别名:TSM3N100CP ROGTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 99W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM3N100CP ROG
仓库库存编号:
TSM3N100CP ROGCT-ND
别名:TSM3N100CP ROGCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 99W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM3N100CP ROG
仓库库存编号:
TSM3N100CP ROGDKR-ND
别名:TSM3N100CP ROGDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 94W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM3N90CP ROG
仓库库存编号:
TSM3N90CP ROGTR-ND
别名:TSM3N90CP ROGTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 94W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM3N90CP ROG
仓库库存编号:
TSM3N90CP ROGCT-ND
别名:TSM3N90CP ROGCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 94W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM3N90CP ROG
仓库库存编号:
TSM3N90CP ROGDKR-ND
别名:TSM3N90CP ROGDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
STD4N52K3
仓库库存编号:
497-10647-1-ND
别名:497-10647-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 2.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 45W(Tc) DPAK
型号:
STD3LN62K3
仓库库存编号:
497-11213-1-ND
别名:497-11213-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 94W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM3N90CH C5G
仓库库存编号:
TSM3N90CH C5G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 94W(Tc) ITO-220
型号:
TSM3N90CI C0G
仓库库存编号:
TSM3N90CI C0G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 94W(Tc) TO-220
型号:
TSM3N90CZ C0G
仓库库存编号:
TSM3N90CZ C0G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF3NK100Z
仓库库存编号:
497-7473-5-ND
别名:497-7473-5
STF3NK100Z-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 41W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
DMN60H4D5SK3-13
仓库库存编号:
DMN60H4D5SK3-13-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 74W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD2HC60
仓库库存编号:
AOD2HC60-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 22W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R2K4P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R2K4P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R2K4P7ATMA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) I2PAK
型号:
IRF820LPBF
仓库库存编号:
IRF820LPBF-ND
别名:*IRF820LPBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 50W(Tc) I2PAK
型号:
IRF820ALPBF
仓库库存编号:
IRF820ALPBF-ND
别名:*IRF820ALPBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 2.5A(Tc) 22W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R2K4P7AKMA1
仓库库存编号:
IPU80R2K4P7AKMA1-ND
别名:SP001644612
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号