规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(214)
分立半导体产品
(214)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (2)
Global Power Technologies Group (8)
Infineon Technologies (35)
IXYS (35)
Microsemi Corporation (2)
Nexperia USA Inc. (1)
NXP USA Inc. (3)
Fairchild/ON Semiconductor (31)
Renesas Electronics America (1)
Rohm Semiconductor (3)
STMicroelectronics (28)
Transphorm (4)
Vishay Siliconix (61)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP450P2
仓库库存编号:
IXTP450P2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc),
不受无铅要求限制
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP16N50P3
仓库库存编号:
IXFP16N50P3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ450P2
仓库库存编号:
IXTQ450P2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc),
不受无铅要求限制
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 347W(Tc) TO-220
型号:
IXFP16N60P3
仓库库存编号:
IXFP16N60P3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH450P2
仓库库存编号:
IXTH450P2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc),
不受无铅要求限制
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 16A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 45W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y72-80EX
仓库库存编号:
1727-1894-1-ND
别名:1727-1894-1
568-11627-1
568-11627-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 110W(Tc) DPAK
型号:
STD18N55M5
仓库库存编号:
497-10955-1-ND
别名:497-10955-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 16A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 3.6W(Ta),33W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7405BDN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7405BDN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7405BDN-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP16N50P
仓库库存编号:
IXTP16N50P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 134.4W(Tc) TO-3P
型号:
FCA16N60N
仓库库存编号:
FCA16N60N-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 34.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA96DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA96DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA96DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4774DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4774DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4774DY-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 13A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP18N55M5
仓库库存编号:
497-10963-5-ND
别名:497-10963-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
STP22NM60N
仓库库存编号:
497-10306-5-ND
别名:497-10306-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF22NM60N
仓库库存编号:
497-10301-5-ND
别名:497-10301-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS626DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS626DN-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/SCHOTTK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 41W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS782DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS782DN-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 2.77W(Ta),13W(Tc) 6-Micro Foot?
型号:
SI8416DB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8416DB-T2-E1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 62W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS482EN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS482EN-T1_GE3-ND
别名:SQS482EN-T1-GE3
SQS482EN-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 62.5W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS401ENW-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS401ENW-T1_GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 62.5W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS423EN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS423EN-T1_GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 53W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQ7415AENW-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ7415AENW-T1_GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 39W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS405EN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS405EN-T1_GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 39W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS405ENW-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS405ENW-T1_GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 16A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 3.6W(Ta),33W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7405BDN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7405BDN-T1-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号