规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 38A（Tc） 890W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB38N100Q2
仓库库存编号：
IXFB38N100Q2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 38A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN44N100Q3
仓库库存编号：
IXFN44N100Q3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 38A（Tc） 3.1W（Ta），170W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF5210STRL
仓库库存编号：
AUIRF5210STRLTR-ND
别名：AUIRF5210STRLTR
SP001519458
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 300V 38A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 300V 38A（Tc） 341W（Tc） TO-247AC
型号：
AUIRFP4409
仓库库存编号：
AUIRFP4409-ND
别名：SP001518024
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 38A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
STB45NF06
仓库库存编号：
497-5731-1-ND
别名：497-5731-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 38A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 38A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
型号：
STW38NB20
仓库库存编号：
497-2658-5-ND
别名：497-2658-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 38A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 38A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
STD38NH02LT4
仓库库存编号：
497-3160-1-ND
别名：497-3160-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 38A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 24V 38A（Tc） 40W（Tc） I-Pak
型号：
STD38NH02L-1
仓库库存编号：
STD38NH02L-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 38A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 250V 38A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP264
仓库库存编号：
IRFP264-ND
别名：*IRFP264
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
含铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 38A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
型号：
FA38SA50LC
仓库库存编号：
FA38SA50LC-ND
别名：*FA38SA50LC
VS-FA38SA50LC
VS-FA38SA50LC-ND
VSFA38SA50LC
VSFA38SA50LC-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3303D1STRR
仓库库存编号：
IRL3303D1STRR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 38A TO-3PF
详细描述：通孔 P 沟道 60V 38A（Tc） 100W（Tc） TO-3PF
型号：
FQAF47P06
仓库库存编号：
FQAF47P06-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 38A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN38N100Q2
仓库库存编号：
IXFN38N100Q2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 38A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 250V 38A（Tc） 280W（Tc） TO-247AD
型号：
IRFP264
仓库库存编号：
IRFP264X-ND
别名：IRFP264X
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 38A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 38A（Tc） 8.3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50P10-43-E3
仓库库存编号：
SUD50P10-43-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 38A 8ULTRASO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 38A（Tc） 2.1W（Ta），38W（Tc） UltraSO-8?
型号：
AOL1413
仓库库存编号：
AOL1413-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 38A（Tc） 278W（Tc） D3Pak
型号：
APT38N60SC6
仓库库存编号：
APT38N60SC6-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc）
型号：
JAN2N6764
仓库库存编号：
JAN2N6764-ND
别名：JAN2N6764-MIL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JAN2N6764T1
仓库库存编号：
JAN2N6764T1-ND
别名：JAN2N6764T1-MIL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
JANTX2N6764
仓库库存编号：
JANTX2N6764-ND
别名：JANTX2N6764-MIL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTX2N6764T1
仓库库存编号：
JANTX2N6764T1-ND
别名：JANTX2N6764T1-MIL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 38A
详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
JANTXV2N6764
仓库库存编号：
JANTXV2N6764-ND
别名：JANTXV2N6764-MIL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 38A
详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTXV2N6764T1
仓库库存编号：
JANTXV2N6764T1-ND
别名：JANTXV2N6764T1-MIL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
2N6764
仓库库存编号：
2N6764-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 38A TO-204AE
详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
2N6764T1
仓库库存编号：
2N6764T1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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