规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(566)
分立半导体产品
(566)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(3)
Diodes Incorporated(5)
Fairchild/Micross Components(8)
Infineon Technologies(311)
IXYS(43)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(2)
NXP USA Inc.(3)
ON Semiconductor(23)
Renesas Electronics America(10)
Sanken(5)
STMicroelectronics(139)
Taiwan Semiconductor Corporation(7)
Toshiba Semiconductor and Storage(5)
Vishay BC Components(1)
Vishay Beyschlag(1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Sanken
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 90W(Tc) TO-220-3
型号:
EKI04047
仓库库存编号:
EKI04047-ND
别名:EKI04047 DK
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI5060
详细描述:表面贴装 P 沟道 80A(Tc) 3.2W PowerDI5060-8
型号:
DMPH1006UPS-13
仓库库存编号:
DMPH1006UPS-13-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 2.8W PowerDI5060-8
型号:
DMNH4005SPSQ-13
仓库库存编号:
DMNH4005SPSQ-13-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
搜索
Sanken
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 90W(Tc) TO-263
型号:
SKI03036
仓库库存编号:
SKI03036CT-ND
别名:SKI03036CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Sanken
MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 90W(Tc) TO-263
型号:
SKI04044
仓库库存编号:
SKI04044CT-ND
别名:SKI04044CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI5060
详细描述:表面贴装 P 沟道 80A(Tc) 3.2W PowerDI5060-8
型号:
DMPH1006UPSQ-13
仓库库存编号:
DMPH1006UPSQ-13-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
搜索
Sanken
MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 116W(Tc) TO-263
型号:
SKI04033
仓库库存编号:
SKI04033CT-ND
别名:SKI04033CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 33V 80A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 33V 80A(Tc) 115W(Tc) TO-220
型号:
AOT500
仓库库存编号:
AOT500-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 214W(Tj) 8-PQFN(5x6)
型号:
FDWS9408_F085
仓库库存编号:
FDWS9408_F085-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 103W(Tc) TO-220
型号:
TK46E08N1,S1X
仓库库存编号:
TK46E08N1S1X-ND
别名:TK46E08N1,S1X(S
TK46E08N1S1X
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 254W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB8860
仓库库存编号:
FDB8860CT-ND
别名:FDB8860CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 120V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 325W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA80N12T2
仓库库存编号:
IXTA80N12T2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 100W(Tc) D-Pak
型号:
STD95NH02LT4
仓库库存编号:
497-4105-1-ND
别名:497-4105-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
60V 80A 3.8 OHMS NCH POWER TRENC
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 310W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP038AN06A0_F102
仓库库存编号:
FDP038AN06A0_F102-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 80A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 357W(Tc) TO-247
型号:
IXTH80N075L2
仓库库存编号:
IXTH80N075L2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 80A(Tc) 520W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH80N20L
仓库库存编号:
IXTH80N20L-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 80A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 250V 80A(Tc) 540W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK80N25
仓库库存编号:
IXTK80N25-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 80A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 150V 80A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH80N15Q
仓库库存编号:
IXFH80N15Q-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 200V 80A(Tc) 360W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK80N20
仓库库存编号:
IXFK80N20-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 200V 80A(Tc) 360W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK80N20Q
仓库库存编号:
IXFK80N20Q-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 80A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 150V 80A(Tc) 360W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK80N15Q
仓库库存编号:
IXFK80N15Q-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 80V 80A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 80A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT80N08
仓库库存编号:
IXFT80N08-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 80A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT80N10Q
仓库库存编号:
IXFT80N10Q-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 80A(Tc) 520W(Tc) TO-268
型号:
IXTT80N20L
仓库库存编号:
IXTT80N20L-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 200V 80A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH80N20Q
仓库库存编号:
IXFH80N20Q-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号