规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB04N03LAT
仓库库存编号：
IPB04N03LAXTINCT-ND
别名：IPB04N03LAXTINCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB04N03LA
仓库库存编号：
IPB04N03LAINCT-ND
别名：IPB04N03LAINCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L07ATMA3
仓库库存编号：
IPB80N06S2L07ATMA3CT-ND
别名：IPB80N06S2L07ATMA3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L06ATMA2
仓库库存编号：
IPB80N06S2L06ATMA2CT-ND
别名：IPB80N06S2L06ATMA2CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB080N06N G
仓库库存编号：
IPB080N06NGINCT-ND
别名：IPB080N06NG
IPB080N06NGINCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB03N03LB G
仓库库存编号：
IPB03N03LBGINCT-ND
别名：IPB03N03LBG
IPB03N03LBGINCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 80A（Tc） 340W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80P06P G
仓库库存编号：
SPB80P06PGINCT-ND
别名：SPB80P06PGINCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 100V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 120W（Tc） DPAK
型号：
STD100N10F7
仓库库存编号：
497-13548-1-ND
别名：497-13548-1
497-13548-5
497-13548-5-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 80A TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 630mW（Ta）, 86W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN3R704PL,L1Q
仓库库存编号：
TPN3R704PLL1QCT-ND
别名：TPN3R704PLL1QCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 120W（Tc） DPAK
型号：
STD105N10F7AG
仓库库存编号：
497-15305-1-ND
别名：497-15305-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
详细描述：表面贴装 P 沟道 80A（Tc） 2.4W（Ta），48W（Tc） Power33
型号：
FDMC610P
仓库库存编号：
FDMC610PCT-ND
别名：FDMC610PCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
STP80NF10
仓库库存编号：
497-2642-5-ND
别名：497-2642-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 80A TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 630mW（Ta）, 104W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN2R304PL,L1Q
仓库库存编号：
TPN2R304PLL1QCT-ND
别名：TPN2R304PLL1QCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
型号：
STD86N3LH5
仓库库存编号：
497-8890-1-ND
别名：497-8890-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A F7 D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
型号：
STB130N6F7
仓库库存编号：
497-15895-1-ND
别名：497-15895-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 60 V 4.2 MOHM TYP. 80
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 134W（Tc） DPAK
型号：
STD130N6F7
仓库库存编号：
497-17305-1-ND
别名：497-17305-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 134W（Tc） DPAK
型号：
STD134N4F7AG
仓库库存编号：
497-17306-1-ND
别名：497-17306-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 172W（Tc） DPAK
型号：
STD170N4F7AG
仓库库存编号：
497-17307-1-ND
别名：497-17307-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 60 V, 0.0028 OHM TYP.,
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 158W（Tc） H2PAK-6
型号：
STH140N6F7-6
仓库库存编号：
497-16971-1-ND
别名：497-16971-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB80NF55-08AG
仓库库存编号：
497-17142-1-ND
别名：497-17142-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） H2PAK
型号：
STH80N10F7-2
仓库库存编号：
497-14980-1-ND
别名：497-14980-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220
型号：
STP80NF55-08AG
仓库库存编号：
497-17149-ND
别名：497-17149
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 74W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM055N03PQ56 RLG
仓库库存编号：
TSM055N03PQ56 RLGTR-ND
别名：TSM055N03PQ56 RLGTR
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 74W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM055N03PQ56 RLG
仓库库存编号：
TSM055N03PQ56 RLGCT-ND
别名：TSM055N03PQ56 RLGCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 74W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM055N03PQ56 RLG
仓库库存编号：
TSM055N03PQ56 RLGDKR-ND
别名：TSM055N03PQ56 RLGDKR
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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