规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(566)
分立半导体产品
(566)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(3)
Diodes Incorporated(5)
Fairchild/Micross Components(8)
Infineon Technologies(311)
IXYS(43)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(2)
NXP USA Inc.(3)
ON Semiconductor(23)
Renesas Electronics America(10)
Sanken(5)
STMicroelectronics(139)
Taiwan Semiconductor Corporation(7)
Toshiba Semiconductor and Storage(5)
Vishay BC Components(1)
Vishay Beyschlag(1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
STD100N3LF3
仓库库存编号：
497-16197-1-ND
别名：497-16197-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 214W（Tc） Power56
型号：
FDMS86368_F085
仓库库存编号：
FDMS86368_F085CT-ND
别名：FDMS86368_F085CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） DPAK
型号：
STD65N55LF3
仓库库存编号：
497-10877-1-ND
别名：497-10877-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP052N08N5AKSA1
仓库库存编号：
IPP052N08N5AKSA1-ND
别名：SP001227050
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB80NF55-08T4
仓库库存编号：
497-3737-1-ND
别名：497-3737-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
STB95N4F3
仓库库存编号：
497-12427-1-ND
别名：497-12427-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
STD95N04
仓库库存编号：
497-5106-1-ND
别名：497-5106-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
STB155N3H6
仓库库存编号：
497-11322-1-ND
别名：497-11322-1
497-11322-5
497-11322-5-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 255W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP3651U
仓库库存编号：
FDP3651U-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 158W（Tc） H2Pak-2
型号：
STH140N6F7-2
仓库库存编号：
497-16314-1-ND
别名：497-16314-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB80NF10T4
仓库库存编号：
497-2489-1-ND
别名：497-2489-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） DPAK
型号：
STD120N4LF6
仓库库存编号：
497-11097-1-ND
别名：497-11097-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） DPAK
型号：
STD120N4F6
仓库库存编号：
497-10781-1-ND
别名：497-10781-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB75NF75T4
仓库库存编号：
497-15666-1-ND
别名：497-15666-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 254W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8160_F085
仓库库存编号：
FDB8160_F085CT-ND
别名：FDB8160_F085CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB80NF03L-04T4
仓库库存编号：
497-7952-1-ND
别名：497-7952-1
STB80NF03L04T4
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 357W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP80N075L2
仓库库存编号：
IXTP80N075L2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
不受无铅要求限制
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 80A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 390W（Tc） TO-247（IXFH）
型号：
IXFH80N25X3
仓库库存编号：
IXFH80N25X3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH80N10Q
仓库库存编号：
IXFH80N10Q-ND
别名：IXFH80N10
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 1250W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK80N50Q3
仓库库存编号：
IXFK80N50Q3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB034N03L G
仓库库存编号：
IPB034N03LGINCT-ND
别名：IPB034N03LGINCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S2L-07
仓库库存编号：
IPP80N06S2L-07-ND
别名：IPP80N06S2L07
IPP80N06S2L07AKSA1
SP000218831
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS3607TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS3607TRLPBFCT-ND
别名：IRFS3607TRLPBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S209ATMA2
仓库库存编号：
IPB80N06S209ATMA2CT-ND
别名：IPB80N06S209ATMA2CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S2L07AKSA2
仓库库存编号：
IPP80N06S2L07AKSA2-ND
别名：SP001067894
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
