规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N06S2L-H5
仓库库存编号：
SPB80N06S2L-H5-ND
别名：SP000013796
SPB80N06S2LH5T
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N08S2-07
仓库库存编号：
SPB80N08S2-07-ND
别名：SP000016355
SPB80N08S207T
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N08S2L-07
仓库库存编号：
SPB80N08S2L-07-ND
别名：SP000016359
SPB80N08S2L07T
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N10L
仓库库存编号：
SPB80N10L-ND
别名：SP000014350
SPB80N10LT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 80A（Tc） 340W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80P06P
仓库库存编号：
SPB80P06P-ND
别名：SP000012841
SPB80P06PT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N03S2-03
仓库库存编号：
SPI80N03S2-03-ND
别名：SP000016262
SPI80N03S203X
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N03S2L-03
仓库库存编号：
SPI80N03S2L-03-ND
别名：SP000016261
SPI80N03S2L03X
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N03S2L-04
仓库库存编号：
SPI80N03S2L-04-ND
别名：SP000013903
SPI80N03S2L04X
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 167W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N03S2L-05
仓库库存编号：
SPI80N03S2L-05-ND
别名：SP000016266
SPI80N03S2L05X
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N03S2L-06
仓库库存编号：
SPI80N03S2L-06-ND
别名：SP000016265
SPI80N03S2L06X
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N04S2-04
仓库库存编号：
SPI80N04S2-04-ND
别名：SP000015085
SPI80N04S204
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N06S-08
仓库库存编号：
SPI80N06S-08-ND
别名：SP000054055
SP000084809
SPI80N06S08
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N06S2-07
仓库库存编号：
SPI80N06S2-07-ND
别名：SP000013784
SPI80N06S207
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N06S2-08
仓库库存编号：
SPI80N06S2-08-ND
别名：SP000013911
SPI80N06S208
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N06S2L-05
仓库库存编号：
SPI80N06S2L-05-ND
别名：SP000016360
SPI80N06S2L05
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N06S2L-11
仓库库存编号：
SPI80N06S2L-11-ND
别名：SP000029960
SPI80N06S2L11
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N08S2-07
仓库库存编号：
SPI80N08S2-07-ND
别名：SP000013954
SPI80N08S207
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N08S2-07R
仓库库存编号：
SPI80N08S2-07R-ND
别名：SP000013717
SPI80N08S207R
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N10L
仓库库存编号：
SPI80N10L-ND
别名：SP000014351
SPI80N10LX
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP77N06S2-12
仓库库存编号：
SPP77N06S2-12-ND
别名：SP000013588
SPP77N06S212
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N03S2-03
仓库库存编号：
SPP80N03S2-03-ND
别名：SP000012468
SPP80N03S203X
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N03S2L-03
仓库库存编号：
SPP80N03S2L-03-ND
别名：SP000012469
SPP80N03S2L03X
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N03S2L04AKSA1
仓库库存编号：
SPP80N03S2L04AKSA1-ND
别名：SPP80N03S2L-04
SPP80N03S2L-04-ND
SPP80N03S2L04X
SPP80N03S2L04XK
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N04S2-04
仓库库存编号：
SPP80N04S2-04-ND
别名：SP000012470
SPP80N04S204
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N04S2-H4
仓库库存编号：
SPP80N04S2-H4-ND
别名：SP000013150
SPP80N04S2H4
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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